2023-02-02-亿渡数据-2022年中国SIC碳化硅器件行业深度研究报告_65页_4mb

中国SiC碳化硅器件行业发展分析总结

行业概况

• C
  • 材料特性：禁带宽度是硅的3倍，导热率4-5倍，击穿电场强度8-10倍，电子饱和漂移速率2-3倍。
  • 主要分类：导电型功率器件（应用：新能源汽车、光伏、轨道交通）和半绝缘型射频器件（应用：5G、国防）。

行业政策支持

• 国家政策：国务院、工信部等支持第三代半导体发展，2021年“十四五”规划明确布局，税收减免政策支持企业。

技术差距与挑战

• 国内外差距：国内在衬底尺寸（4/6英寸）、良率、成本方面落后于国际巨头（如Wolfspeed、II-VI）。
• 技术瓶颈：晶体生长速度慢、缺陷密度高、加工成本高；外延生长速率低、缺陷控制难。

市场规模与前景

• 导电型器件：2021年全球市场规模10.9亿美元，预计2027年增至62.97亿美元，汽车占比超60%。
• 半绝缘型器件：主要用于5G基站、卫星通信，2026年市场规模预计4.33亿美元。
• 应用领域：新能源汽车、光伏、轨道交通、5G等领域驱动需求增长。

产业链分析

• 上游：
  • 衬底：国内主要生产4/6英寸，良率50%左右，8英寸衬底技术正在突破。
  • 外延片：CVD法为主，良率与国际差距大，设备依赖进口。
• 中游：设计制造集中欧美，国内企业加速布局，如时代电气、斯达半导、天岳先进。
• 下游：终端应用覆盖汽车、能源、通信等领域，渗透率逐步提升。

成本与价格

• 成本结构：衬底和外延环节占70%，原材料成本占比高。
• 价格趋势：随产能扩大和技术成熟，价格预计逐年下降，2025年外延片价格降至71元/cm²。

竞争格局

• 全球主导：Top6厂商（意法半导体、Wolfspeed等）占据导电型核心市场99%。
• 国内进展：企业如天岳先进、天科合达、广东天域逐步提升市场份额，但高端替代仍需突破技术壁垒。

发展机遇

• 政策红利：国家持续支持第三代半导体，地方加速布局。
• 应用驱动：新能源汽车、光伏、5G等需求拉动渗透率提升。