电子行业深度报告：第三代半导体SIC，爆发式增长的明日之星-20200917-华安证券-31页_1mb

报告摘要

第三代半导体SIC：爆发式增长的明日之星

核心内容

第三代半导体材料SIC（碳化硅）因其优异的性能优势，正在成为功率半导体领域的重要发展方向。相比传统Si基器件，SIC在效率、损耗、体积等方面具有明显优势，适用于新能源车、光伏风电、不间断电源、家电工控等高能效、高功率的应用场景。SIC器件市场预计未来10年将实现20倍增长，从2019年的4.8亿美元增长至2030年的100亿美元。

主要观点

性能优势：SIC具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率，适用于高电压、高功率、高频场景。
成本下降趋势：目前SIC衬底成本是Si的4-5倍，预计未来3-5年将降至Si的2倍左右，成本下降将推动SIC器件的广泛应用。
国产替代进程加快：国内SIC晶片企业如天科合达、山东天岳等已具备一定规模，有望在产业链爆发中受益。
产业链爆发拐点临近：随着技术成熟和成本下降，SIC产业链将进入高速增长阶段，国产替代与行业爆发将同步进行。

关键信息

SIC器件市场空间与增速

预计增长：SIC器件市场预计未来5-10年复合增速达40%。
2025年市场规模：预计全球SIC MOS器件市场空间为30亿美元，中国约12亿美元。
渗透率预测：SIC MOS在电动车中的渗透率预计在2025年达到25%，2027年接近30%。

SIC晶片市场空间与增速

预计增长：SIC晶片市场预计从2019年的30亿元人民币增长至2027年的150亿元人民币。
市场格局：目前SIC晶片市场由美国CREE和II-VI等企业主导，国内天科合达、山东天岳等企业正快速追赶。

SIC产业链结构

SIC产业链分为上游（晶片和外延）、中游（功率器件制造）、下游（新能源车、光伏风电等）。当前SIC晶片是产业链的瓶颈，但随着技术进步和成本下降，下游应用接受度将逐步提升。

投资建议

建议关注的公司

斯达半导
- 国内IGBT龙头，积极布局SIC领域。
- 2020E EPS为1.14元，PE为175.77倍。
三安光电
- 第三代半导体全布局企业，涵盖SIC和GaN。
- 2020E EPS为0.40元，PE为64.95倍。
露笑科技
- 布局SIC设备和材料，计划投资100亿元建设SIC产业园。
- 2020E EPS为0.22元，PE为38.86倍。
华润微
- 传统功率器件厂商，积极布局SIC器件。
- 2020E EPS为0.59元，PE为87.78倍。
捷捷微电
- 晶闸管龙头，向SIC领域延伸。
- 2020E EPS为0.50元，PE为65.63倍。
扬杰科技
- 功率分立器件企业，积极布局SIC产品。
- 2020E EPS为0.64元，PE为66.52倍。
天科合达
- 国内SIC晶片龙头，具备6英寸晶片生产能力。
- 2020E EPS为-，PE为-。
山东天岳
- 半绝缘SIC片领先企业，拥有高纯度SIC衬底技术。
- 2020E EPS为-，PE为-。

建议关注的行业趋势

新能源车：SIC器件在逆变器、充电桩等领域的应用将显著提升能效，缩短充电时间。
光伏风电：SIC功率器件将提升逆变器的效率和功率密度。
5G射频器件：GaN在射频领域的应用将快速增长，SIC衬底在其中发挥关键作用。
国产替代：国内SIC产业链逐步成熟，国产替代进程加快。

风险提示

成本不达预期：SIC成本下降不及预期可能影响市场推广。
器件稳定性不足：SIC器件的稳定性和可靠性仍需时间验证。
技术差距拉大：若国内SIC产业链发展不及预期，可能落后于国外。
宏观经济波动：行业景气度可能因宏观经济变化而下降。

行业与公司评级

公司	2020E EPS（元）	2021E EPS（元）	2022E EPS（元）	2020E PE	2021E PE	2022E PE
斯达半导	1.14	1.58	2.16	175.77	126.82	92.76
三安光电	0.40	0.55	0.72	64.95	47.23	36.08
露笑科技	0.22	0.26	0.29	38.86	31.61	28.90
华润微	0.59	0.71	0.87	87.78	73.28	59.68
捷捷微电	0.50	0.63	0.79	65.63	52.16	41.63
扬杰科技	0.64	0.81	1.05	66.52	52.10	40.51

重要数据与图表

SIC材料与Si材料对比：SIC在禁带宽度、击穿电场、热导率等方面优于Si。
SIC MOS与Si IGBT对比：SIC MOS具有更低的导通电阻、更快的开关速度、更低的功耗。
SIC器件市场预测：预计2025年全球SIC MOS市场规模为30亿美元，中国12亿美元。
SIC晶片市场预测：预计2027年全球SIC晶片市场规模将达150亿元人民币。
SIC晶片市场格局：2018年美国CREE占据60%以上市场份额，国内企业正在追赶。
天科合达市场占有率：2018年导电型SIC晶片全球市场占有率1.7%，国内第一。
SIC器件价格趋势：2019年部分SIC SBD价格较2018年下降20%-35%。

行业发展趋势

政策支持：国内外政策持续支持第三代半导体发展，国内“中国制造2025”、“长三角区域一体化发展规划纲要”等政策推动SIC产业发展。
技术瓶颈：SIC器件的稳定性、成本等是当前主要瓶颈，但随着产业链成熟，这些瓶颈将逐步突破。
国产替代：国内SIC晶片和器件企业正在加快布局，未来将受益于国产替代和行业爆发。

总结

SIC作为第三代半导体材料，因其优异的性能和广泛的应用前景，正在成为功率半导体领域的核心发展方向。随着成本下降和产业链成熟，SIC器件市场将迎来爆发式增长，预计未来10年将增长20倍。国内SIC晶片和器件企业如天科合达、山东天岳、斯达半导等正加快布局，有望在未来十年中受益于行业爆发和国产替代。投资建议关注这些具备技术和产能优势的企业，同时需警惕成本、可靠性及行业景气度等风险。

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