深度报告-20211225-国金证券-电子行业研究_看好电动汽车800V高压系统受益产业链_18页_2mb
报告摘要
创新技术与企业服务研究中心 - 电子行业研究报告总结
核心内容
本报告聚焦于电动汽车800V高压系统的发展及其对碳化硅(SiC)功率器件、隔离芯片、薄膜电容及高压直流继电器等产业链环节的带动效应,认为800V系统将成为新能源汽车发展的重要方向,具有显著的节能与快充优势。
主要观点
- 800V高压系统是为了解决新能源汽车的续航与充电焦虑,通过提升电压平台来实现更高的充电效率和更低的能耗。
- 800V系统使功率器件(如逆变器)的耐压要求提升至1200V,而**碳化硅(SiC)**因其低导通与开关损耗,成为800V系统中首选的功率器件材料。
- SiC器件在800V系统中可使整车节能5%-10%,提升续航里程,并有助于降低电池成本。
- 隔离芯片因800V系统带来的高瞬态共模干扰,需求量和价值量同步提升,需具备更高的绝缘耐压与工作温度要求。
- 薄膜电容和高压直流继电器因800V系统的应用,其使用条件与性能要求显著提高,价值量也随之提升。
关键信息
800V高压系统发展现状
- 全球已有超过20家汽车品牌推出或计划推出800V系统,包括保时捷、奥迪、现代、比亚迪、小鹏、蔚来等。
- 800V系统可使充电时间大幅缩短,如保时捷Taycan可在22.5分钟充至80%电量,续航能力显著提升。
- 高压系统提升后,高压线束截面积减小,有助于降低整车重量与节省安装空间。
碳化硅(SiC)技术优势
- SiC具有高耐压、低损耗特性,适用于800V高压平台,可有效提升逆变器效率。
- 800V下SiC的总功率损耗显著低于Si基IGBT,且在30%负载以下,SiC处于高效区间。
- 2026年,碳化硅功率器件市场规模预计达50亿美元,其中新能源汽车占比超60%。
隔离芯片需求变化
- 800V系统对隔离芯片的绝缘耐压与工作温度要求提升,需满足至少800V绝缘电压和15-20年寿命。
- 隔离芯片在OBC、DC-DC、逆变器等关键系统中广泛应用,且随着功率密度提升,其价值量上升。
- 纳芯微提供全系列车规级加强隔离芯片,可满足800V系统需求。
薄膜电容与高压继电器价值提升
- 800V系统中,薄膜电容用于DC-LINK、输出滤波等场景,需具备高耐压、大容量、低ESR等特性。
- 高压直流继电器因800V平台的高电压、高电流、电弧问题,需采用陶瓷封装,提升耐压等级与使用寿命。
推荐组合
| 公司名称 | 所属领域 |
|---|---|
| 三安光电 | 碳化硅产业链 |
| 法拉电子 | 薄膜电容 |
| 纳芯微 | 隔离芯片 |
| 斯达半导体 | 碳化硅功率器件 |
| 时代电气 | 碳化硅功率器件 |
风险提示
- 800V系统渗透率不达预期;
- SiC成本居高不下;
- 新能源汽车发展低于预期;
- 全球SiC产能扩张低于预期;
- SiC技术难度大,国内进展缓慢。
行业投资建议
- 买入:预期未来3-6个月内该行业上涨幅度超过大盘15%以上;
- 增持:预期未来3-6个月内该行业上涨幅度超过大盘5%-15%;
- 中性:预期未来3-6个月内该行业变动幅度相对大盘在-5%-5%;
- 减持:预期未来3-6个月内该行业下跌幅度超过大盘5%以上。
投资评级说明
- 买入:预期未来6-12个月内上涨幅度在15%以上;
- 增持:预期未来6-12个月内上涨幅度在5%-15%;
- 中性:预期未来6-12个月内变动幅度在-5%-5%;
- 减持:预期未来6-12个月内下跌幅度在5%以上。
图表与数据支持
- 图表1-26提供了800V系统架构、SiC与Si基IGBT性能对比、800V系统优势、碳化硅市场预测等关键信息。
- 市场数据显示当前市场优化平均市盈率18.90,国金电子指数8238,沪深300指数4921,上证指数3618,深证成指14710,中小板综指14199。
总结
800V高压系统在电动汽车领域具有广阔前景,能够有效提升充电效率与续航能力,推动碳化硅、隔离芯片、薄膜电容和高压继电器等细分行业的发展。报告重点推荐相关产业链公司,并提示潜在风险,为投资者提供参考。
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