深度报告-2026-06-08-国元证券-GaN功率半导体行业报告_应用场景加速拓展_数据中心与汽车电子贡献增量_35页_4mb
报告摘要
GaN功率半导体行业报告总结
核心内容
GaN功率半导体凭借其高频、低损耗和高功率密度的优势,正在从消费电子逐步向数据中心、汽车电子等高价值领域拓展。预计全球GaN功率半导体市场规模将从2025年的5.5亿美元增长至2030年的41.5亿美元,年复合增长率(CAGR)约49.8%。
主要观点
-
应用场景扩展
- 智能手机仍是当前最大的应用场景,但其占比预计逐步下降。
- 数据中心将成增速最快的增量市场,预计2030年占比提升至37.3%。
- 汽车电子和高性能计算等场景将随技术发展同步放量,推动应用结构多元化。
-
数据中心供电架构升级
- AI服务器功耗持续增加,推动供电架构向800V HVDC演进。
- 800V HVDC可降低线缆损耗和系统复杂度,提升供电效率。
- GaN在800V DC-DC、IBC等环节具备优势,有望提升渗透率。
-
GaN在AI服务器中的市场空间
- 2024年服务器GaN市场空间约为3.0亿美元,预计2028年将增长至12.7亿美元。
- 服务器功率从2024年的9kW提升至2028年的20kW,推动GaN需求增长。
-
汽车电子中的GaN应用
- OBC和DC-DC是GaN在汽车电子中的较明确应用场景。
- 随着OBC功率提升至11kW,GaN在效率、功率密度和散热方面具备优势。
- 48V架构升级将推动GaN在低压DC-DC环节的渗透,提升单车价值量。
-
技术发展趋势
- GaN技术路线呈现低压集成化与高压化并行发展。
- 低压GaN适用于DC-DC、POL、激光雷达驱动等场景。
- 高压GaN具备潜力,但短期内仍需与SiC形成差异化竞争。
关键信息
市场规模预测
| 年份 | 数据中心 (亿美元) | 智能手机 (亿美元) | 汽车电子 (亿美元) | 其他 (亿美元) | 总市场规模 (亿美元) |
|---|---|---|---|---|---|
| 2025 | 1.55 | 1.2 | 0.55 | 0 | 5.5 |
| 2030E | 15.5 | 1.2 | 5.5 | 0 | 41.5 |
应用场景占比预测
| 年份 | 数据中心 (%) | 智能手机 (%) | 汽车电子 (%) | 高性能计算 (%) | 能源 (%) | 工业 (%) | 其他 (%) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2025 | 4.5 | 74.8 | 6.1 | 4.9 | 3.0 | 10.0 | 2.0 |
| 2030E | 37.3 | 28.9 | 13.3 | 9.6 | 4.8 | 4.8 | 1.2 |
GaN器件在不同环节的应用
| 环节 | 电压/功率特征 | GaN机会 | 渗透节奏 |
|---|---|---|---|
| 800V DC-DC | 高压、高功率 | GaN具备高频化、小型化优势 | 短中期 |
| IBC | 高频、高功率密度 | 高功率AI机柜推动IBC多相化、高频化 | 短中期 |
| 高集成DC-DC | 高压、高功率 | 单机GaN价值量提升 | 中长期 |
| POL/VRM | 低压大电流 | 具备潜在应用空间 | 中长期 |
GaN在汽车电子中的应用
| 应用场景 | 优势 | 渗透率预测(2030) |
|---|---|---|
| OBC | 效率、功率密度、热损耗 | 20% |
| DC-DC | 高频、高效率、小体积 | 18% |
| 激光雷达驱动 | 高效率、高功率密度 | 中长期弹性 |
| 无线充电 | 高频、高功率密度 | 中长期弹性 |
| 主驱逆变器 | 与SiC竞争 | 仍处于导入初期 |
总结
GaN功率半导体正逐步从消费电子向数据中心、汽车电子等高价值领域扩展,其高频、低损耗和高功率密度的特性使其在电源小型化、高效率和高功率密度场景中具备显著优势。预计到2030年,数据中心将成为GaN最重要的增量市场,占比预计达37.3%。同时,汽车电子中的OBC和DC-DC等场景也将成为GaN的重要应用方向,随着48V架构的普及,GaN在低压电源中的渗透率有望逐步提升。在技术层面,GaN呈现低压集成化与高压化并行发展趋势,未来有望在更多领域实现规模化应用。
展开完整摘要
试读结束,高清完整版pdf/doc/ppt,请点下载