半导体行业深度：技术差距逐渐缩小，DRAM芯片国产化替代进程曲折、前途光明-20220330-湘财证券-27页_1mb

半导体行业深度：DRAM芯片国产化替代进程曲折、前途光明

核心内容

DRAM（动态随机存取存储器）是存储器行业的重要支柱产品，2021年全球DRAM销售额占存储器市场规模的61.2%，占全球半导体市场规模的27.7%。随着DDR5新品入市，DRAM行业迎来新一轮上行周期，预计2022年至2024年DDR4及LPDDR4仍为市场主流，价格波动有限。同时，利基型DRAM市场因供需趋紧，价格趋于平稳。国内存储器设计企业正加速追赶，国产化替代空间巨大。

主要观点

• DRAM市场特性：DRAM市场具有产品迭代滞后于技术演变的特点，其市场周期较长，技术壁垒高，形成寡头垄断格局。
• 技术演进：DDR5于2021年Q4上市，将带来1年左右的上行周期。DDR4及LPDDR4预计在2024年前仍是市场主力。
• 供需关系：2022年DRAM市场供需关系趋于紧俏，DDR3价格稳定，DDR4价格波动较小。
• 国产化替代：中国芯片自给率在2025年目标达到70%，但2021年仅为5%。国内存储企业如长鑫存储、兆易创新等正加速发展，未来具备较大增长潜力。
• 投资建议：建议持续关注DRAM芯片设计及接口设计板块，维持行业增持评级。

关键信息

• 市场规模：2021年全球DRAM市场规模达941.9亿美元，预计2022年同比增长25.8%。
• 技术标准：DDR5的传输速率可达3200-6400 MT/S，其配套产品如接口芯片和SPD芯片市场需求同步上升。
• 国内进展：长鑫存储在2022年Q1试量产DDR5，未来产能目标为30万片/月；兆易创新作为代销商，也将受益。
• 供需格局：全球DRAM市场由三星、海力士和美光三大巨头主导，合计市场份额超过90%；国内企业如长鑫存储的市占率约为1%。
• 下游需求：智能手机、服务器、物联网设备、可穿戴设备等需求持续增长，带动DRAM市场稳步上行。
• 风险提示：包括下游需求下滑、宏观政策变动、系统性风险及企业产能和技术研发进度不及预期。

技术与市场趋势

• 技术迭代：DDR技术标准迭代周期拉长，DDR5发布晚于原计划，为国内企业提供了技术追赶的时间窗口。
• 市场结构：主流DRAM市场由三星、海力士和美光主导，国内企业处于追赶阶段，但正在逐步扩大市场份额。
• 利基市场：DDR3及DDR2产品在利基市场仍有需求，三星及海力士逐步退出DDR3市场，导致供给趋紧，价格稳定。

国内企业进展

• 长鑫存储：2019年实现DDR4量产，2022年Q1试量产DDR5，产能目标逐步提升。
• 兆易创新：主要代销长鑫存储DDR产品，受益于国产化替代趋势。
• 澜起科技：在DDR接口市场占有率超过40%，具备较强竞争力。
• 技术壁垒：国内企业正通过技术迭代和产能扩张逐步缩小与国际巨头的差距。

投资建议

• 关注板块：建议关注DRAM芯片设计及接口设计板块，重点跟踪长鑫存储、兆易创新、澜起科技等企业。
• 评级维持：维持行业增持评级，认为国内存储器设计企业未来发展前景良好。

风险提示

• 需求波动：智能手机、PC等下游需求下滑可能影响DRAM市场。
• 政策变动：国内外宏观政策变动可能对行业产生影响。
• 技术与产能：企业技术研发和产能扩产进度不及预期可能影响市场表现。
• 系统性风险：市场整体波动可能对DRAM行业造成影响。