SiC行业深度报告-SiC东风已来-关注衬底与外延环节的材料+设备国产化机遇-东吴证券_76页_4mb

SiC行业深度报告总结主要参数及市场机遇

行业概览
碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，具备高热导率（2倍硅）、高击穿电场强度（~10倍硅）、高电子迁移率等优势，适用于高温、高频、高功率应用场景。新能源汽车市场预计成为核心需求驱动力，2027年导电型SiC功率器件市场规模有望达63亿美元，其中新能源车领域占比79%。行业内70%价值量集中于衬底和外延环节，衬底成本占器件37%，外延成本占23%。

衬底环节

1. 技术瓶颈：国内SiC衬底良率仅50%，远低于海外龙头85%。当前出口限制与设备短缺导致成本高企。
2. 6寸SiC衬底市场：预计2025年全球市场空间达380亿元（CAGR 78%），中国约156亿元（CAGR 90%）。
3. 国产化进展：天岳先进、天科合达、晶盛机电已实现6寸衬底量产，天岳先进6寸半绝缘型衬底良率及技术参数达到国际水平，但量产爬坡压力仍存。8寸衬底技术已突破，预计2023年实现小批供应。
4. 增长驱动：新能源车渗透率提升利好6寸衬底需求，预计2025年全球需求量达199万片，国内达95万片（含半绝缘型）。

外延环节

1. 设备依赖国外：全球80%+市场份额由LPE、Nuflare、爱思强等海外厂商占。MOCVD设备核心壁垒在于气流控制。
2. 国内替代进度：晶盛机电、北方华创、芯三代等企业推进国产替代。2023年国内6寸外延炉产能约2000台，预计2025年市场空间达53亿元（CAGR 88%）。
3. 行业预期：2025年全球外延炉市场规模约130亿元，期内国内厂商将加速替代进程。

切片设备

1. 主流技术升级：砂浆切割向金刚线切割过渡，2025年全球金刚线切片机市场空间约30亿元（CAGR 48%），国内约13亿。
2. 国产替代优势：高测股份、德龙激光等企业已实现部分参数突破，双面研磨工艺对改善SiC衬底翘曲度有关键作用。

激光切片

1. 技术优势：高测股份GC-SCDW8300设备采用3000m/min线速，DCS技术使单片线耗降低至700m，切割成本下降30%+。
2. 市场渗透：2025年全球SiC激光切片机需求约0.9万台，市场规模5亿元；国内分别达0.5万和2亿，预计激光切割将逐步替代传统技术。

研磨抛光设备

1. 市场空间：2025年全球研磨抛光设备市场约56亿元（CAGR 81%），国内23亿元（CAGR 94%）。DISCO技术难点依然存在，但迈为股份已实现国产化突破。
2. 国产替代进展：国内厂商技术指标约对标DISCO，生产线亦逐步实现国产替代。

风险提示

1. 新能源车销量不及预期
2. SiC渗透率提升未达预期
3. 设备国产化进程落后
4. 技术研发不确定性

投资建议
重点推荐具备全产业链能力的企业：晶盛机电（SiC衬底+外延炉，2025年外延炉空间53亿）、高测股份（金刚线切片机）、德龙激光（激光切片设备、市场占比50%）、迈为股份（研磨机）、北方华创（MOCVD外延设备）。建议关注晶升股份（6寸长晶炉）、大族激光（激光设备）等。短期内硅基设备供应商（如DISCO）仍占优，但国内设备厂商正快速追赶。