碳化硅设备行业深度报告-SiC东风已来-关注衬底与外延环节的材料+设备国产化机遇【勘误版】-东吴证券_76页_5mb

证券分析师周尔双、刘晓旭，研究助理李文意发布的碳化硅设备行业深度报告指出，全球碳化硅（SiC）产业因新能源汽车与光伏等需求快速增长，迎来国产化机遇。关键结论如下：

行业机遇
SiC作为第三代半导体材料，具有高热导率（3倍于硅）、高击穿场强（10倍于硅）等性能优势。新能源汽车是其最大应用市场，2027年全球导电型SiC功率器件市场规模将达63亿美元，其中新能源车占比79%。2025年，6寸SiC衬底、外延设备全球/国内新增市场空间分别预计380/156亿元、100/40亿元。

衬底环节

1. 技术挑战：衬底国产化率不足50%，良率低，海外龙头如Wolfspeed达85%。国内厂商如天岳先进、天科合达已实现6英寸导电型衬底量产，8英寸技术有所突破，但良率和成本仍存在提升空间。
2. 设备国产化：国内PVT单晶炉技术已成熟，北方华创、晶升股份、晶盛机电CR2超80%，国产替代率逐步提升。
3. 切割技术：砂浆切割占比超90%，但效率低、污染大；金刚线切割效率高但损耗仍存，激光切割因无损、高效成为新趋势，2025年全球/国内切片设备市场空间预计30/13亿元。

外延环节

1. 国外主导：意大利LPE、德国爱思强、日本Nuflare等占据80%+市场，核心壁垒为气体流量控制。
2. 国产替代加速：2025年全球/国内外延炉市场空间预计130/53亿元，国内厂商如晶盛机电、北方华创已推出6-8英寸设备，技术指标逐步接近海外龙头。
3. 激光划片：德龙激光、大族激光是国内唯一具备能力的国产厂商，2025年全球/国内激光划片设备市场空间约5/2亿元，国产替代进程加快。

核心驱动因素

• 新能源汽车渗透率提升带动行业增长，预计2023-2025年全球SiC衬底、外延设备CAGR分别达63%/75%、75%/88%。
• 衬底良率提升与设备国产化并行，6寸单晶炉需求2025年全球/国内约220/80台，国内厂商通过技术积累逐步缩小差距。
• 外延设备因海外产能不足，成为国产替代窗口期，国内企业推进多片式设备开发。

投资建议
重点推荐晶盛机电（衬底、外延炉）、迈为股份（研磨机）、高测股份（金刚线切片机）、德龙/大族激光（激光切片设备）、北方华创（长晶炉与外延炉）；关注晶升股份、纳设智能（未上市）等。

风险提示

1. 新能源车销量不及预期可能导致需求增速放缓；
2. SiC渗透率提升受制于成本与技术瓶颈；
3. 国产设备验证周期长，技术替代不及预期；
4. 年轻厂商技术研发存在不确定性。

报告强调，SiC设备国产化进程受产业链各环节技术突破驱动，需关注衬底良率、外延设备替代以及切割技术革新三大核心环节。国内厂商在长晶炉、激光设备等领域已掌握关键工艺，但与海外龙头仍有差距，未来2-3年替代加速。