20260307-中信证券-存储|Q1_NAND合约价涨幅再度上调,模组厂商业绩指引强劲(2026年2月)_3页_162kb
报告摘要
存储行业简报总结(2026年2月)
核心内容概述
2026年2月,存储行业整体呈现强劲的景气度,主要得益于NAND合约价的上调、铠侠业绩及指引超预期,以及国内模组厂商佰维存储的业绩公告表现优异。行业需求持续超预期,预计供不应求状况将延续至2027年上半年。因此,分析师继续看好存储行业,并重点推荐存储模组公司、存储原厂及贴近原厂的设计公司。
一、2026年2月价格回顾
1. DRAM价格
- 现货价格:主流颗粒价格环比变动为 -3% ~ +12%,整体涨幅放缓。
- 合约价格:DDR5-8Gb合约价环比上涨 +4%,DDR4-8Gb合约价环比上涨 +8%。
2. NAND Flash价格
- 现货价格:主流颗粒价格环比上涨 +10% ~ +26%。
- 合约价格:环比上涨 +37% ~ +67%,涨幅显著。
3. 模组价格
- 内存条:DDR4/5现货价格基本走平,DDR5合约价环比上涨 +4% ~ +18%。
- SSD:现货价格环比上涨 0% ~ +13%,合约价环比上涨 +6% ~ +18%。
- 移动存储:现货价格环比上涨 +10% ~ +25%。
二、价格展望
1. DRAM
- 预计 Q1传统DRAM合约价上涨90% ~ 95%(未调整)。
- 三星电子和SK海力士已通知客户,25Q2将继续大幅提高DRAM价格。
- SK海力士预计DDR5颗粒 26Q2将涨价40%。
2. NAND Flash
- 由于AI服务器需求强劲,供需严重失衡,Q1整体合约价涨幅上调至85% ~ 90%(此前预期为55% ~ 60%)。
- SLC NAND Flash因供给收缩,26H1价格上涨幅度有望接近主流TLC/QLC产品。
3. 利基存储
- NOR Flash:台系厂商减少中小容量产能,预计26H1价格持续上涨,Q1涨幅超过20%,中小容量涨幅更大。
- SLC NAND Flash:海外原厂如美光、铠侠、三星陆续减产,26H1价格有望上涨。
三、海外原厂对需求端判断
1. SK海力士
- 预计2026年DRAM bit需求同比增速 超过20%。
- NAND bit需求同比增速 15% ~ 20%(high-teens)。
- 当前DRAM及NAND库存仅剩约 4周,无法满足全部客户需求。
2. 闪迪
- 预计2026年数据中心bit需求增长 超过60%。
3. 铠侠
- 预计NAND市场中长期bit需求将以 约20% CAGR 增长。
- HyperScaler LTA已谈至 2027-2028年。
- 公司指引 FY4Q25(CY1Q26)营收环比增长55% ~ 72%,超市场预期。
四、国内存储厂商业绩预期
1. 佰维存储
- 1~2月营收预计为 40 ~ 45亿元,同比 +340% ~ 395%。
- 归母净利润预计为 15 ~ 18亿元,同比 +922% ~ 1086%。
- 归母扣非净利润预计为 13.5 ~ 16.0亿元,剔除股份支付后归母净利润 15.3 ~ 18.3亿元,均超市场预期。
五、投资策略
- 继续看好存储需求超预期,预计行业供不应求将持续至 2027年上半年。
- 核心推荐:
- 存储模组公司:短期业绩爆发能力强。
- 存储原厂及贴近原厂的设计公司:受益于行业高景气度。
六、风险因素
- 海外CSP厂商AI CAPEX不及预期。
- 消费电子下游需求走弱。
- 存储价格提升不及预期。
- 行业竞争加剧。
- 技术革新风险。
- 国际贸易摩擦风险。
七、分析师信息
- 徐涛:科技产业联席首席分析师,S1010517080003
- 王子源:半导体分析师,S1010521090002
- 程子盈:重点元器件分析师,S1010523030002
八、免责声明
本文节选自中信证券研究部于 2026年3月6日 发布的《电子行业2026年2月存储行业简报》报告,具体分析内容请详见完整报告。若因对报告的摘编而产生歧义,应以报告发布当日的完整内容为准。
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