射频前端_从产业变革到价值增长_43页_4mb
报告摘要
射频前端：从产业变革到价值增长
核心内容
射频前端是无线连接的核心，是实现信号发送和接收的基础器件，广泛应用于手机、通讯模块、WiFi路由器和通讯基站等领域。随着5G技术的普及，射频前端市场将迎来大规模扩张，预计2023年全球市场规模将增长至313.10亿美元。
主要观点
- 市场增长：2018年全球射频前端市场规模为149.1亿美元，预计2023年将增长至313.10亿美元，年复合增长率（CAGR）超过13%。
- 市场格局：目前射频前端市场由Broadcom（Avago）、Skyworks、Qorvo、Murate等国际巨头主导，合计市场份额达85%。国内厂商在射频前端领域仍处于起步阶段，但有望通过国产替代逻辑实现突破。
- 技术趋势：5G推动射频前端向SiP（系统级封装）和AIP（封装天线）方向发展，提升集成度，降低体积和成本。
- 氮化镓（GaN）：作为第三代半导体材料，GaN具有高功率、高频率、高效率等优势，未来将在射频前端市场中占据重要地位，预计2022年全球市场规模将达7.55亿美元，年复合增长率（CAGR）为14%。
关键信息
射频前端芯片市场
- 射频前端芯片包括PA（功率放大器）、LNA（低噪声放大器）、开关、滤波器等。
- 滤波器是射频前端市场最大的细分市场，2017年全球市场规模约为80亿美元，预计2023年将增长至225亿美元。
- 射频PA市场由Skyworks、Qorvo等国际厂商主导，国内厂商如唯捷创芯、汉天下等也在逐步崛起。
射频前端产业链
- IDM模式：目前射频前端产业主要由IDM（垂直整合制造）模式主导，如Skyworks、Qorvo、Broadcom等。
- Fabless模式：随着5G发展，Fabless模式厂商如高通、华为海思等正在切入射频前端市场，推动产业链格局变化。
- 国产替代：国内厂商有望在射频前端领域实现替代，尤其在滤波器和PA市场。
氮化镓（GaN）
- 性能优势：氮化镓具有较高的禁带宽度、击穿电场、电子饱和速度，适合高频、大功率应用。
- 衬底技术：GaN-on-Si（硅基氮化镓）因其成本优势和可扩展性，成为未来最具潜力的衬底技术。
- 市场前景：预计2022年氮化镓射频器件市场规模将达7.55亿美元，未来将逐步取代LDMOS和GaAs。
SiP+Antenna封装技术
- SiP封装：SiP是超越摩尔定律的必然选择，用于集成多种射频元件，提升系统性能。
- AIP封装：AIP（封装天线）将天线与射频前端集成在一起，适用于5G毫米波频段，降低信号损耗，提升集成度。
- 市场趋势：SiP和AIP封装技术将在5G时代广泛应用，推动射频前端市场增长。
市场空间测算
- 智能手机射频前端市场：预计2019年达到184.7亿美元，2020年达到242.6亿美元，2021年达到约243.1亿元人民币。
- 基站射频前端市场：预计2021年全球5G宏基站PA和滤波器市场规模将达到243.1亿元人民币，小基站射频器件市场将达到21.54亿元人民币。
重点标的推荐
| 股票代码 | 股票名称 | 收盘价（2019-06-28） | 投资评级 | EPS(元) | P/E |
|---|---|---|---|---|---|
| 300782.SZ | 卓胜微 | 108.92 | 买入 | 1.62/2.92/4.19/6.76 | 67.23/37.30/26.00/16.11 |
| 600584.SH | 长电科技 | 12.85 | 买入 | -0.59/0.13/0.45/0.68 | -21.78/98.85/28.56/18.90 |
| 601231.SH | 环旭电子 | 12.05 | 买入 | 0.54/0.71/0.98/1.36 | 22.31/16.97/12.30/8.86 |
| 600703.SH | 三安光电 | 11.28 | 增持 | 0.80/1.03/1.25 | 14.10/10.95/9.02 |
风险提示
- 未来5G技术推进不及预期
- SiP和AIP等封装技术推广进度不及预期
- 采用GaN等新材料射频器件推广进度不及预期
- 整个半导体行业不景气导致需求下降
- 中美贸易摩擦
图表目录
- 图1：智能手机通信系统结构示意图
- 图2：2012年以来全球移动终端出货量（百万台，含预测）
- 图3：2010年以来全球射频前端市场规模（亿美元，含预测）
- 图4：2018年全球RF FEM市场情况
- 图5：2023年全球RF FEM市场情况
- 图6：2018年全球RFFEM市场情况
- 图7：2023年全球RFFEM市场情况
- 图8：2017年主要射频器件市场占比
- 图9：SAW滤波器结构图
- 图10：BAW滤波器结构图
- 图11：不同频率下SAW和BAW滤波器的应用范围
- 图12：滤波器在射频前端模块中的占比
- 图13：全球滤波器市场规模预测（亿美元）
- 图14：SAW滤波器全球市场份额情况
- 图15：BAW滤波器全球市场份额情况
- 图16：全球射频PA市场份额情况
- 图17：2010年以来全球射频开关市场规模（亿美元，含预测）
- 图18：2010年以来全球射频低噪声放大器市场规模（亿美元，含预测）
- 图19：全球射频前端市场份额情况
- 图20：行业模式示意图
- 图21：Skyworks的SkyOne射频前端模组
- 图22：高通5G毫米波天线模组QTM052
- 图23：氮化镓（GaN）器件同时具有高功率和高频率的特点
- 图24：氮化镓（GaN）已经广泛应用于射频器件（RF）、LED和功率器件等
- 图25：氮化镓（GaN）器件应用广泛
- 图26：预计2018年开始GaN的出货量将超过LDMOS
- 图27：不同衬底的GaN未来发展趋势
- 图28：GaN-on-SiC和GaN-on-Si的不同应用领域
- 图29：2015年氮化镓射频器件市场情况
- 图30：2022年氮化镓射频器件市场情况
- 图31：2012年射频功放器件市场情况
- 图32：2018年射频功放器件市场情况
- 图33：30年来通信技术的演进时间轴
- 图34：2018-2025年5G智能手机出货量（单位：百万台）
- 图35：2017-2024年全球及中国GaN基站市场规模
- 图36：SiP示意图
- 图37：遵从摩尔定律的英特尔处理器
- 图38：过去主流的系统
- 图39：现在的系统
- 图40：SiP各应用领域产值占比
- 图41：iPhone6s中的触控芯片SiP
- 图42：目前智能手机中关键组件使用SiP封装概况
- 图43：PAMiD在iPhoneXS中的应用
- 图44：射频元件的集成化趋势
- 图45：Broadcom8092模块采用PAMiD封装技术
- 图46：封装天线实物图
- 图47：AOC与AIP集成形式
- 图48：毫米波频段引关注
- 图49：天线模组的微缩化趋势
- 图50：封装天线（AIP），5G天线封装主流形式
- 图51：2G-5G时代RFFEM封装技术趋势
- 图52：不同网络制式下单部手机射频器件成本（美元）和相关器件数量
- 图53：2017-2023年手机射频器件市场规模概况
- 图54：2017-2022年手机射频前端市场规模（十亿美元）
- 图55：2017-2022年基站射频前端市场概况
- 图56：2015-2018年卓胜微分产品营业收入（万元）
- 图57：2018年公司各产品营收占比
- 图58：2018年各大客户营收占比
- 图59：来自三星电子及其关联公司的收入占比
- 图60：公司核心技术产品收入占总营收比例
- 图61：2013年全球封测行业市场占比
- 图62：2018年全球封测行业市场占比
- 图63：2018年公司各产品占主营业务收入比例
- 图64：2015-2018年三安集成营业收入及同比增长率
表格目录
- 表1：部分射频器件简介
- 表2：国内布局SAW滤波器的企业情况
- 表3：国内主要PA厂商概况
- 表4：射频前端芯片国际大厂概况
- 表5：Fabless模式下产业链分工
- 表6：三代半导体材料主要参数的对比
- 表7：GaN在不同层面的优点
- 表8：3G/4G/5G智能手机中射频器件成本拆分(单位：美元)
- 表9：2018-2020智能手机射频前端总市场规模测算
- 表10：全球5G宏基站PA和滤波器市场总规模(亿元)测算
- 表11：全球4G/5G小基站PA市场规模(亿元)测算
- 表12：卓胜微募投项目概况(单位：万元)
- 表13：其他国内外建议关注公司简介
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