半导体行业穿越存储60年：AI时代，新周期-长城证券-2023.7.11-102页_3mb

报告摘要

穿越存储60年：AI时代，新周期

核心内容

存储行业作为现代文明传承与延续的基石，随着数字化趋势持续增长。存储介质分为光学、磁性、半导体三类，其中半导体存储（包括DRAM和NAND FLASH）是当前市场的主要增长点。2022年全球存储市场规模中，DRAM占比49.06%，NAND FLASH占比37.28%，硬盘占比11.35%。2023年存储市场进入周期性调整阶段，但AI等新兴技术的推动使得存储需求持续增长。

主要观点

存储需求与技术发展并行：存储需求的爆发源于文明的传承与数字化进程，技术的不断进步推动存储介质从“纸→磁→光→半导体”演变，存储容量从MB级提升至TB级。
存储行业周期性波动明显：存储市场具有3-4年的周期性，受供需关系影响较大，尤其是DRAM和NAND市场，价格波动频繁。
AI推动存储需求爆发：随着AI技术的发展，全球数据量预计在2030年将突破1YB，存储需求将呈指数级增长。AI服务器市场预计在2026年达到347亿美元，带动存储投资约65亿美元。
存储市场高度集中：海外企业如三星、美光、SK海力士在DRAM和NAND市场占据主导地位，市场集中度达90%以上。中国存储企业如合肥长鑫、兆易创新等正逐步崛起。
中国存储产业迎来机遇：随着海外巨头减产和中国存储企业技术进步，中国在存储产业链多个环节具备竞争优势，包括存储芯片设计、模组、设备、材料、封测等。

关键信息

存储市场现状

市场规模：2022年全球存储市场规模中，DRAM占49.06%，NAND FLASH占37.28%，硬盘占11.35%。
市场集中度：全球存储市场由海外寡头主导，CR3/CR5高达90%以上。
存储价格趋势：存储价格符合摩尔定律，每18个月集成度提升1倍，单位价格下降一半。2022年DRAM和NAND FLASH价格指数分别为-41%和-35%。

存储技术演进

存储介质演变：从穿孔卡到硬盘，再到固态硬盘，存储介质不断缩小体积、提升容量。
存储单位：存储单位从Bit到YB，每级单位为1024倍。
存储技术分类：DRAM（易失性存储器）和NAND FLASH、NOR FLASH（非易失性存储器）为主要存储技术，其中NAND FLASH在消费电子领域占据主导地位。

存储行业趋势

未来需求增长：2030年全球每年新增数据量将突破1YB，存储需求量级爆发。
AI推动存储技术发展：CXL和HBM等技术不断迭代，满足高性能计算需求。
数据中心需求上升：企业级存储需求增长，HDD因成本优势成为数据中心的首选。
存储产业链布局：中国在存储产业链多个环节具备竞争力，包括芯片设计、模组、设备、材料、封测等。

存储产业格局

DRAM市场：三星、美光、SK海力士占据94%市场份额，形成“三国鼎立”格局。
NAND市场：三星、铠侠、SK海力士主导，长江存储等中国厂商逐步崛起。
存储设备：中国设备厂商如中微公司、北方华创等在刻蚀、沉积等环节取得进展。
存储材料：中国材料企业如沪硅产业、鼎龙股份等在半导体材料领域具备一定实力。
存储封测：中国封测企业如深科技、华天科技等在封装测试环节具有竞争力。

存储技术原理

DRAM：基于电容和晶体管，利用电荷存储数据，需周期性充电。
NAND FLASH：基于浮栅晶体管，利用导通特性记录数据，支持高密度存储。
NOR FLASH：基于浮栅晶体管，支持随机读取，适用于嵌入式系统。

中国存储产业前景

DRAM：合肥长鑫作为中国DRAM龙头，已具备自主生产能力，未来有望打破海外垄断。
NAND：长江存储自研3D NAND技术，有望迎来收获期。
存储设备：中国设备厂商在刻蚀、沉积等关键环节取得进展，逐步替代海外企业。
存储材料：中国在半导体材料领域逐步建立产业链，具备一定竞争力。
存储封测：中国封测企业具备全球竞争力，为存储产业提供重要支撑。

存储技术与市场前景

存储技术：存储技术持续符合摩尔定律，集成度每18个月提升1倍，价格每4-5年下降至1/10。
存储需求：AI、大数据、云计算等推动存储需求增长，尤其是高性能存储器需求。
存储周期：存储市场周期通常为3-4年，2023年进入周期调整阶段，但未来需求增长将推动市场回暖。

总结

存储行业作为现代文明的重要组成部分，随着技术进步和市场需求增长，正经历从传统存储介质向半导体存储的转变。AI等新兴技术的推动使得存储需求呈现爆发式增长，同时带动存储技术不断升级。尽管当前存储市场进入周期性调整，但未来随着技术迭代和需求增长，存储行业将迎来新的发展机遇。中国存储企业正在通过技术创新和产业链完善，逐步在DRAM、NAND、设备、材料、封测等领域占据一席之地，未来有望在全球存储市场中实现更大突破。

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