新能源车行业深度报告（一）-高压快充趋势及产业链降本-加速碳化硅产业进展-华宝证券_28页_1mb

碳化硅产业进展与高压快充趋势分析

碳化硅是第三代半导体材料，因禁带宽度大、热导率高等优势，适用于高电压、高频、高温环境，被广泛应用于新能源汽车、光伏、工业电源等领域。

市场前景

高压快充成为电车发展主要趋势，直接推动碳化硅需求增长。预计2023-2026年全球新能源车市场碳化硅晶圆需求量将从18万片增至112万片，衬底需求量将从32万片增至172万片。800V电压平台普及加速碳化硅上车进度，2023年已有多款20-25万元车型标配碳化硅器件，装车成本逐步下降，渗透率显著提升。

技术与产业链优势

碳化硅器件相较硅基产品具备高效率、小体积、低损耗等优势。SiCMOSFET导通损耗降低70%，开关损耗降低345%，系统效率可提升5%-76%。技术降本路径包括扩大晶圆尺寸（8英寸提升产能）和提高良率，2023年国内衬底良率约50%，目标通过扩径技术改善。

渗透障碍

碳化硅仍面临成本高企、单芯片电流承载能力有限等挑战。SiCSBD均价0.5元/A，SiCMOSFET价格为SiIGBT的3-15倍，限制大规模应用。但随着SiCSBD价格持续下降，其在光伏逆变器等场景逐步替代硅基器件。

风险展望

2024年碳化硅产业化进程将受高压快充推广和国产化进度共同影响，关注产能释放、8英寸量产及器件良率提升情况。主要风险包括渗透率不及预期、扩产不及预期及价格战风险。

总结

碳化硅在新能源汽车等高压快充应用中具备显著优势，成本、良率持续改善。未来需重点关注产业链各环节国产化突破与成本下降进度，加强器件可靠性验证与规模化应用推广。