GaN行业深度：5G、快充、UVC，第三代半导体潮起-200218_33页__3mb

报告摘要

GaN行业深度研究报告总结

核心内容

第三代半导体材料氮化镓（GaN）在射频、电源和光电子领域具有广泛应用。其优势包括高频、高功率、低功耗、小尺寸、高效率、高可靠性等，适用于5G通信、快充、汽车电子、消费电子、紫外杀菌等场景。随着5G、快充和深紫外LED等应用的推动，GaN市场正快速增长，预计到2024年，射频GaN市场将达20亿美元，CAGR为21%；功率GaN市场将超过3.5亿美元，CAGR达85%；而紫外LED市场也将实现快速增长，CAGR为27%。

主要观点

射频应用：GaN射频器件在5G基站和军用雷达领域独具优势，具有高功率、高频率、宽带宽、低功耗等特性，能够节省宝贵的PCB空间并提高效率。预计2024年射频GaN市场规模达20亿美元，主要由军用雷达和无线基础设施推动。
电源应用：GaN在电源管理、发电和功率输出方面具有显著优势，尤其在快充、汽车电子和消费电子领域表现突出。其在600V左右电压下，比硅器件更高效、更小、更轻，可推动充电器市场统一。预计2024年功率GaN市场规模将超过3.5亿美元，CAGR达85%。
光电子应用：GaN是蓝光LED的基础材料，适用于紫外激光器、MicroLED等应用。其在紫外杀菌、固化等领域具有重要价值。深紫外LED市场正快速增长，预计2024年市场规模将达9.91亿美元，而MicroLED市场也将在2023年达到10亿美元。
市场格局：全球GaN市场由美日企业主导，如Cree（Wolfspeed）、住友电工、英飞凌等。国内厂商如三安光电、海特高新、海威华芯等正在逐步进入市场，具备量产能力。

关键信息

技术优势：GaN在高频、高功率、低功耗、小尺寸、高效率、高可靠性等方面具有显著优势，尤其适合5G基站、雷达、快充、MicroLED、紫外杀菌等应用场景。
市场增长：射频GaN市场预计到2024年将达20亿美元，CAGR为21%；功率GaN市场预计到2024年将达3.5亿美元，CAGR为85%；紫外LED市场预计到2023年将达9.91亿美元，CAGR为27%。
产业链布局：全球GaN产业链分为硅衬底供应商、硅基GaN外延片供应商、功率GaN器件代工厂、器件设计+外延制造、器件和外延设计、纯代工厂、IDM等七大板块。代表厂商包括Cree（Wolfspeed）、住友电工、英飞凌、Navitas、三安光电、海特高新、海威华芯等。
国内厂商：三安光电、海特高新、海威华芯等在GaN射频、功率器件和光电子领域具备一定实力，正在推动国内GaN产业链发展。