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存储行业专题报告：传统终端需求放缓 HBM成新驱动

1. 行业现状：传统终端需求影响DRAM和NAND价格持续下探

• 2023年上半年受终端需求疲软和库存高企影响，存储产品价格出现大幅下跌，DRAM和NAND连续下行。随着厂商主动减产和终端复苏，2023年9月DRAM价格开始回升，但2024年7月两度跌势重演。
• 截至2024年12月31日，DDR4（8Gb 1Gx8, 3200 Mbps）现货平均价为$146，较7月跌2044%，128Gb 16Gx8 MLC合约价环比下降56%。2025财年第一季度，三星NAND业务环比下滑5%，美光HBM收入环比增长超一倍。

2. 新动能：AI和高性能计算驱动HBM需求爆发式增长

• 2024年前三季度全球存储市场同比增96.8%，达到1202.25亿美元，其中HBM市场规模为183亿美元，同比增超300%，Q3环比增83%。
• 平均售价HBM3e约为传统DRAM的3-5倍，随着英伟达新一代算力芯片推向市场，预计HBM3e产能将持续扩张。SK海力士、三星、美光形成HBM垄断格局。

3. 中国市场：全球最大DRAM市场迎来创新突破

• 2023年我国存储市场规模逆势增长93%至5400亿元，占全球市场的三分之一。
• 国产DDR5实现突破，金百达、光威相继推出基于国产颗粒的DDR5内存产品，传输速率较DDR4提升约50%。随着产品良率提升和产能扩张，国产存储市场份额有望增长。

4. 未来展望：需求与周期并存，中国产业链或将迎来新机遇

• 短期仍需警惕存储行业周期性波动风险，预计厂商面临减产压力。
• 中长期看，AI模型参数持续升级与HPC算力需求提升将促进HBM、DDR5旺盛需求及持续迭代。叠加终端创新周期启动，存储市场空间将继续扩大，相关产业链将保持高景气。

5. 风险提示

• 全球经济下行、境外竞争加剧、技术创新不及预期、下游需求回落、业绩不及预期、中美关系恶化等潜在风险均需警惕