2023-03-08-CASA-2022第三代半导体产业发展报告_63页_2mb
报告摘要
国际第三代半导体产业进展总结
-
逆全球化与技术封锁
- 全球半导体行业受地缘政治影响,美国等国家加强对中国半导体技术的封锁,导致供应链分裂。
- 各国通过巨额投资(如美国《芯片与科学法案》)吸引半导体产业回流,推动区域化竞争。
-
技术突破与产业化
- SiC领域:8英寸SiC衬底开始商业化量产,车规级SiC器件成为重点,耐压2000V及高功率密度产品快速推进。
- GaN领域:6英寸GaN单晶制备成功,1200V GaN功率器件推出,毫米波射频器件出货量增加。
-
市场增长与企业扩张
- 2022年全球SiC/GaN功率半导体市场规模约23.7亿美元,预计2027年将达80亿美元。
- 新能源汽车、光伏储能等需求驱动市场高速增长,产业链投资超105亿美元,企业并购频繁。
国内第三代半导体产业进展总结
-
国产化加速与政策支持
- 国际封锁倒逼国产替代,中央及地方政策(如《加快电力装备绿色低碳创新发展行动计划》)明确将第三代半导体列为发展重点。
- 地方政府出台差异化政策,如山东、广州南沙新区等重点区域的产业链布局。
-
技术与产业化进展
- SiC领域:8英寸SiC衬底小批量生产,SiC二极管和MOSFET量产提速,模块开始装车应用(如比亚迪、广汽埃安)。
- GaN领域:6英寸GaN外延片量产,消费电源(快充)应用增长,射频器件供应增加。
-
产值与投资
- 2022年国内第三代半导体功率电子和微波射频总产值141.7亿元,同比增长11.7%。
- 产能扩张超30%,SiC衬底产能增长30.6%,8英寸SiC技术突破加速。
趋势与展望
- 全球市场驱动:新能源汽车(800V平台)、光伏储能需求持续增长,SiC/GaN器件渗透率将显著提升。
- 技术挑战与机遇:SiC晶圆成本下降(年降幅约10%)将推动成本优势突破,国产企业亟需提升核心技术和供应链成熟度。
- 政策与生态:中国需加强标准制定、产业链协同及应用生态完善,支撑“双碳”战略目标。
总体结论
第三代半导体产业正进入全球“战国时代”,技术竞争与市场格局重塑加速。中国需强化自主可控能力,抓住新能源革命机遇,推动产业链高质量发展。
展开完整摘要
试读结束,高清完整版pdf/doc/ppt,请点下载