2021-12-08-亚太地区科技行业-对2022_2023年前景的修正_以及在经济低迷的初始阶段找到拐点_23页_909kb

2022/23年全球内存市场展望分析

市场规模修正

根据需求与供给动态变化，2021财年内存市场规模被温和下调，预计2022-2023年将经历下行周期。整体DRAM市场在2021年增长约40%后，预计2022年增长约2%，2023年约20%。NAND市场在2021年增长约19%（同比增长），需求势头预计保持稳定。2022/23年，NAND市场贡献将推动整体内存市场增长至低40%水平。

需求驱动因素

多元需求驱动，包括云服务、5G、智能手机、汽车和工业等。服务器DRAM需求强劲，超大规模数据中心推动增长。笔记薄电脑DRAM受5G普及支撑，预计未来两年销售额年复合增长率(CAGR)超20%。NAND需求以SSD为主，内容增长和SSD集成率提升将支撑2022/23年30%-50% CAGR。

供给与库存情况

绝对资本支出维持在区间内水平，周期拉长导致投资分散到未来两年。渠道和厂商库存平均维持在-2-3%供给充足水平，库存消化加速为主流产品需求复苏做准备。

定价与盈利能力

DRAM价格自2021年第四季度开始反转，NAND价格温和下调。尽管价格压力存在，但由于技术迁移和EUV应用带来的成本优化，DRAM和NAND利润率预计保持健康。2022年DRAM成本/位降幅可达低-中单位数水平，NAND成本从128L-176L迁移时降幅略减。

资本支出与技术迁移

DRAM资本支出2021年约260亿美元，EUV技术采购周期较长，拖累短期增长但提升效率。NAND资本支出增长较慢，年度产能增加重点指向多层制程节点。成本密集度两年内降幅达15个百分点，缓解厂商收入压力。

存货价格与市场情绪

主流DRAM现货价格自2021年11月下旬反弹，合约价溢价收窄至中单位数水平，合约价格谈判前景良好。库存周期缩短，多家公司已做好为2022年上行周期准备。

公司评级与投资偏好

推荐排名为SK Hynix > Micron > Nanya Technology > Western Digital等。重点分析其存货价格表现、市场需求及潜在风险。

关键结论

虽然短期下行压力存在，但供需平衡和技术升级将支撑内存市场长期结构增长，投资者应关注低价产品及细分领域动态。