深度报告-20221028-财通证券-SiC行业深度报告_SiC全产业链拆解_新能源行业下一代浪潮之基_156页_14mb
报告摘要
SiC全产业链拆解及新能源行业应用前景分析
核心内容
本报告聚焦于碳化硅(SiC)功率器件在新能源行业中的应用前景,分析其市场增长潜力、技术发展趋势及国产替代机会。
主要观点
- SiC性能优势显著:相较于传统硅基材料,SiC在禁带宽度、击穿场强、电子饱和漂移速度和热导率等方面表现更优,适合高功率、高压、高频和高温应用场景。
- 市场需求驱动增长:预计2027年全球SiC功率器件市场规模可达62.97亿美元,新能源汽车、光伏储能为主要增长驱动力,CAGR分别为39.2%和20.0%。
- 国产供应链加速发展:在中美贸易摩擦、新能源高景气和政策支持背景下,国产SiC供应链有望实现弯道超车,形成自主可控能力。
- 投资建议:建议关注SiC产业链各环节的代表性企业,包括衬底、外延、芯片设计、器件制造及设备厂商等。
关键信息
市场规模预测
- 全球市场:2021年SiC功率器件市场规模为10.9亿美元,预计2027年将增长至62.97亿美元,CAGR为34%。
- 中国市场:2021-2026年第三代半导体电力电子市场年均增速为40%,预计2026年市场规模达500亿元。
- 新能源汽车市场:预计2027年车用SiC器件市场规模达240亿元,占全球SiC市场约79.2%。
- 光伏市场:预计2027年全球光伏用SiC器件市场规模达4.6亿美元,占SiC市场约7.3%。
技术与成本
- 衬底成本占比高:在SiC功率器件成本结构中,衬底占比约47%,是产业链核心环节。
- 成本下降趋势:随着技术成熟和产能扩大,SiC器件价格有望逐步下降,提升其市场渗透率。
- 封装工艺跟进:模块及单管双路线同时存在,模块亟需新的封装材料和工艺,以提高性能和可靠性。
国际与国内企业对比
- 国际龙头企业:Wolfspeed、ROHM、ST、英飞凌等在SiC产业链中占据主导地位,具备技术优势和市场先发优势。
- 国内企业进展:天岳先进、天科合达、露笑科技、三安光电、中瓷电子、斯达半导、时代电气、士兰微、博敏电子、晶盛机电、晶升装备、德龙激光、宇环数控等在SiC产业链中逐步完善,部分企业已实现量产。
投资建议
| 代码 | 公司 | 总市值(亿元) | 收盘价 | EPS(2021A/2022E/2023E) | PE(2021A/2022E/2023E) | 投资评级 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 688234.SH | 天岳先进 | 524.25 | 122.00 | 0.23/0.26/0.39 | 0.00/461.07/315.49 | 未评级 |
| 600703.SH | 三安光电 | 777.17 | 17.35 | 0.29/0.47/0.68 | 128.14/36.72/25.46 | 未评级 |
| 300656.SZ | 民德电子 | 46.09 | 29.37 | 0.64/0.73/1.75 | 83.63/40.27/16.80 | 未评级 |
| 003031.SZ | 中瓷电子 | 217.81 | 104.18 | 0.81/0.82/1.12 | 102.85/126.65/93.22 | 未评级 |
| 603290.SH | 斯达半导 | 616.40 | 361.01 | 2.47/4.53/6.39 | 163.16/79.66/56.47 | 未评级 |
| 688187.SH | 时代电气 | 710.08 | 62.13 | 0.00/1.69/1.96 | 57.56/36.76/31.65 | 未评级 |
| 600460.SH | 士兰微 | 437.71 | 30.91 | 1.13/1.01/1.31 | 50.57/30.58/23.60 | 未评级 |
| 603936.SH | 博敏电子 | 58.51 | 11.45 | 0.47/0.52/0.83 | 36.34/21.95/13.87 | 未评级 |
| 300316.SZ | 晶盛机电 | 971.72 | 74.30 | 1.33/2.09/2.82 | 52.23/35.52/26.33 | 未评级 |
风险提示
- 新能源汽车销量及SiC渗透率不及预期。
- SiC国产化进度不及预期。
- 国家产业政策变化风险。
SiC产业链各环节重点企业分析
衬底环节
- 天岳先进:半绝缘型衬底龙头,发力导电型衬底市场。
- 天科合达:导电型衬底国内第一,已重启IPO。
- 露笑科技:通过定增切入碳化硅衬底,实现第二增长曲线。
IDMS系列
- 三安光电:SiC全产业链布局,具备一体化优势。
- 民德电子:构建功率半导体smart IDM。
- 中瓷电子:背靠科研资源,进军第三代半导体领域。
器件环节
- 斯达半导:车规级SiC模块率先放量。
- 时代电气:高压领域领军者,布局SiC有优势。
- 士兰微:IDM龙头,具备长期配置价值。
材料环节
- 博敏电子:新型覆铜陶瓷衬板打造第二成长曲线。
设备环节
- 晶升装备:碳化硅单晶炉具有较强竞争力。
- 德龙激光:碳化硅晶锭切片技术已完成工艺研发。
- 宇环数控:前瞻布局碳化硅磨削和研磨抛光设备。
- 晶盛机电:设备+材料自主可控。
结论
SiC作为第三代宽禁带半导体材料,具有显著的性能优势,将在新能源汽车、光伏储能等领域发挥重要作用。随着技术进步和成本下降,SiC市场有望快速扩张,国产供应链有望在政策支持和技术突破下实现替代。投资SiC产业链各环节企业,需关注其技术进展、产能扩张及市场渗透情况。
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