深度报告-20260123-中银证券-存储行业深度报告_骐骥驰骋_AI_存_变_国产_储_势_星火燎原_27页_2mb

存储行业深度报告总结

核心内容

本报告分析了存储行业在AI与数据扩张的推动下进入新周期，全球存储市场规模持续增长，且价格大幅上涨。AI服务器和通用服务器的共同驱动下，存储行业面临结构性供给受限和需求激增的双重挑战，技术迭代如HBM、HBF等成为关键增长点。同时，国产存储企业如长鑫存储、长江存储在技术突破和产能扩张方面取得显著进展，有望在全球市场中占据更大份额。

主要观点

• AI与数据扩张：AI技术的广泛应用推动了数据总量的快速增加，使得存储需求显著上升，尤其是AI服务器和终端设备的存储需求。
• 存储价格与供需：存储芯片价格在2025年已大幅上涨，预计2026年进一步上升，供需紧张状态或将持续全年。
• 技术迭代与创新：HBM和HBF等新技术的快速发展，为存储行业带来新的增长机会。HBM在AI训练和推理中发挥关键作用，而HBF则为推理场景提供了新的解决方案。
• 国产替代趋势：中国存储企业通过技术突破和产业链自主化，正在加速追赶国际领先厂商，特别是在DRAM和NAND Flash领域。
• 投资机会：存储产业链中，经销商、模组制造商、利基市场参与者、配套芯片厂商及国产供应链企业有望受益于AI带来的需求增长。

关键信息

供需分析

• 资本支出：2026年全球八大CSP资本支出将超过6000亿美元，同比增长约40%。但DRAM和NAND Flash的产能增长有限，结构性供给受限持续。
• HBM与HBF：HBM是AI服务器中的核心组件，预计2026年全球HBM供应将增长38.2%。随着AI推理市场的发展，HBF作为新型高带宽存储技术开始崭露头角。
• NAND Flash：NAND Flash因AI需求激增，结构性需求旺盛，尤其QLC SSD因高容量、高读写速度成为市场焦点。

国产进展

• 长鑫存储：已推出LPDDR5X产品，最高速率达10667Mbps，兼容LPDDR5，功耗降低30%。
• 长江存储：三期建设目标为100%设备国产化，2026年产能预计提升至30万片/月，全球市场份额有望增至15%。
• 技术突破：CBA+4F²技术成为国产存储企业弯道超车的关键路径，通过独立制造存储单元和外围线路，实现性能与良率的优化。

需求端分析

• AI端侧存储：AI手机、AIPC、AI眼镜等设备的存储需求增长迅猛，2024年市场规模达179亿美元，预计2029年将显著增长。
• AI服务器：AI服务器存储需求保持高速增长，预计2029年全球AI服务器出货量将达540万台，推动LPDDR5X等高性能存储产品需求。
• 其他应用领域：智能汽车、AR/VR、机器人等应用场景对存储提出了更高的性能与可靠性要求，推动存储技术的持续升级。

投资建议

• 受益于周期价格波动的厂商：香农芯创、江波龙、佰维存储、德明利、开普云。
• 利基市场及配套芯片厂商：
  • 利基存储：兆易创新、东芯股份、普冉股份、聚辰股份、北京君正。
  • 配套芯片：澜起科技、联芸科技。
• 国产半导体存储器供应链：
  • 设备：北方华创、中微公司、拓荆科技、迈为股份、精智达、微导纳米、长川科技。
  • 材料：华海诚科、联瑞新材、深南电路、兴森科技、广钢气体、雅克科技、兴福电子。
  • CBA DRAM：晶合集成、汇成股份。
  • 封装：深科技。

风险提示

• 行业周期性波动：存储行业具有周期性，价格易受供需变化影响。
• 技术迭代风险：存储技术更新迅速，企业需持续投入研发以避免技术落后。
• 地缘政治与供应链风险：国际竞争和技术封锁可能影响供应链稳定性。
• AI需求可持续性风险：若AI商业化进展缓慢，可能影响存储需求增长。
• 国产替代风险：若国产存储企业在技术突破和良率提升方面不及预期，将影响其市场竞争力。

评级与展望

• 行业评级：强于大市，预计未来6-12个月内行业表现优于市场。
• 投资策略：建议关注存储产业链上下游企业，尤其是受益于AI需求增长的细分领域，如高端DRAM、NAND Flash、利基市场及配套芯片。

图表目录

• 图表1：IDC中国数据生成量预测（2024-2029）
• 图表2：谷歌每月处理的Tokens用量突破千亿
• 图表3：谷歌每月处理的Tokens用量迅速增长
• 图表4：2021-2026年全球八大CSP资本支出情况
• 图表5：典型数据中心的capex构成（2021）
• 图表6：Flash Wafer 1Tb TLC近期行情走势图
• 图表7：DDR4 16Gb 3200近期行情走势图
• 图表8：OEM SSD 1TB PCIe 4.0近期行情走势图
• 图表9：DDR4 SODIMM 8GB 3200近期行情走势图
• 图表10：半导体存储器产业链概览
• 图表11：全球存储产品市场规模（2020-2029）
• 图表12：全球服务器出货量及AI渗透率（2020-2029）
• 图表13：全球手机出货量及AI渗透率（2020-2029）
• 图表14：全球PC出货量及AI渗透率（2020-2029）
• 图表15：全球汽车销量及智能汽车渗透率（2020-2029）
• 图表16：全球AR/VR设备出货量及AI渗透率（2020-2029）
• 图表17：全球机器人销售收入及具身智能渗透率（2020-2029）
• 图表18：2022-2026年DRAM与NAND Flash产业资本支出
• 图表19：全球2025/2026年内存市场与各类别产品成长率预估
• 图表20：HBM技术路线图
• 图表21：HBF结构图
• 图表22：Nearline HDD与QLC SSD重点比较
• 图表23：英伟达NVL576
• 图表24：谷歌TPU
• 图表25：预估2026年LPDDR5X需求年增幅达169%
• 图表26：LPDRAM生产正快速向LPDDR5(X)收敛
• 图表27：KV Cache工作原理
• 图表28：英伟达基于BlueField-4 DPU构建的推理上下文内存存储平台
• 图表29：英伟达重构存储架构
• 图表30：2025/2026各终端应用存储位元需求量涨跌幅预测
• 图表31：长鑫存储正式推出LPDDR5X
• 图表32：长江存储晶栈Xtacking 4.0
• 图表33：标准6F²布局与采用垂直通道晶体管的4F²布局
• 图表34：第八代BiCS FLASH所采用的CBA
• 图表35：DRAM技术路线图
• 图表36：2023.01-2025.12台股利基存储厂商营收情况
• 图表37：DRAM标准类型
• 图表38：紫光国芯SeDRAM

结论

本报告指出，AI与数据扩张推动存储进入新周期，供需紧张导致价格上涨，HBM与HBF等新技术加速迭代，国产存储企业正通过技术突破与产能扩张，逐步在全球市场中占据一席之地。投资建议聚焦于存储产业链的多个细分领域，同时提醒投资者注意行业周期性波动、技术迭代、地缘政治及AI需求可持续性等风险因素。