电子行业半导体设备系列:光刻机,半导体制造皇冠上的明珠-20210719-国盛证券-16页_1mb
报告摘要
电子行业总结:半导体设备系列分析
核心内容
光刻机是芯片制造中的关键设备,被称为“半导体制造皇冠上的明珠”,其核心功能是将掩膜板上的图形曝光至预涂光刻胶的晶圆表面。光刻胶在曝光后发生化学变化,从而实现图形转移。光刻机主要由光源、镜头和精密结构等核心零部件组成,其技术发展经历了从接触式、接近式到步进式,再到EUV(极紫外线)的演变过程。
主要观点
- 技术发展路径:光刻机从早期的g线(436nm)逐步演进至当前的EUV(13.5nm),分辨率不断提升,工艺制程逐步缩小。
- EUV光刻机优势:EUV光刻机具有高分辨率,能大幅减少重复曝光步骤,提升制程能力,如TSMC的7nm工艺中使用EUV技术后,晶体管密度和性能均有显著提升。
- 市场格局:全球光刻机市场由ASML主导,2020年市场占有率达84%,Nikon和Canon分别占据7%和5%。EUV光刻机由ASML独家供应,单台价值超过1亿美元。
- 市场数据:2020年全球光刻机市场规模约为135亿美元,占全球半导体设备市场的21%。全球光刻机年出货量约300~400台,其中EUV光刻机出货量逐年增长。
- 光刻胶分类:根据反应机理和显影原理,光刻胶分为正性胶和负性胶。正性胶在高分辨率制程中更具优势。
- 国内进展:上海微电子装备(集团)股份有限公司(简称“上海微”)是国内光刻机研发制造的重要企业,其SSX600系列光刻机已实现90nm制程,可用于8寸和12寸晶圆的大规模生产。
关键信息
光刻机技术演进
| 时间段 | 光源类型 | 波长(nm) | 设备类型 | 最小分辨率 | 可实现制程 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1980年代早期 | 汞灯光源 | 436 | 接触式/接近式 | 230nm | >5μm |
| 1990年代初期 | 汞灯光源 | 365 | 接触式/接近式 | 220nm | 0.35~0.5μm |
| 1990年代后期 | KrF准分子激光 | 248 | 扫描投影式 | 80nm | 0.15~0.25μm |
| 2000年代初期 | ArF准分子激光 | 193 | 进步扫描投影式 | 65nm | 65nm~0.13μm |
| 2000年代中期 | ArF准分子激光 | 193 | 浸没式进步扫描投影式 | 38nm | 7~45nm |
| 2010年代末期 | EUV光源 | 13.5 | EUV光刻机 | 13nm | <7nm |
光刻机市场现状
- 市场规模:2020年全球光刻机市场约135亿美元,占全球半导体制造设备市场的21%。
- 出货量与价格:全球光刻机年出货量约300~400台,整体均价约0.3亿美元。EUV光刻机出货量逐年增长,均价超1亿美元。
- 市场集中度:ASML占据全球光刻机市场84%的份额,Nikon和Canon分别占据7%和5%。
- ASML财务表现:2020年营业收入140亿美元,其中75%来自设备销售,25%来自服务。综合毛利率52%,净利率32%。
国内光刻机发展
- 上海微电子:成立于2002年,2018年完成90nm光刻机项目验收,其SSX600系列光刻机已实现90nm制程,可用于8寸和12寸晶圆生产。
- 国产替代进展:国内晶圆厂在光刻机采购上主要依赖ASML,但上海微电子正逐步推进国产化替代。
风险提示
- 国产替代不及预期:半导体设备技术难度高,验证周期长,替代进程存在不确定性。
- 全球贸易纷争:科技领域竞争加剧,产业链稳定性受到影响。
- 下游需求不确定性:全球经济形势变化可能影响半导体设备需求。
总结
光刻机作为芯片制造的核心设备,技术门槛高、价值量大,目前由ASML主导全球市场。EUV光刻机技术的突破显著提升了光刻分辨率,成为先进制程的关键。国内企业如上海微电子正积极布局前道光刻设备,SSX600系列光刻机已实现90nm制程,但仍面临技术验证和市场替代的挑战。随着全球半导体行业持续增长,光刻机市场具备较高的增长弹性,但同时也伴随着诸多风险。
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