20230910-天风证券-金属与材料行业研究周报_大厂入局_氮化镓功率半导体迎来新增长点_4页_523kb

氮化镓功率半导体行业分析总结

行业评级：金属与材料行业维持"强于大市"评级。

氮化镓（GaN）作为第三代宽禁带半导体代表，具有宽禁带、高击穿场强、高热导率和高电子漂移速率等优势，适用于高频、高压、高功率电气领域。这些特性使其在导通电阻、电子迁移率、散热能力等方面表现出色，能显著提升电力电子器件性能，并实现节能效果。主要应用包括5G技术、汽车电气系统、无线通信和航天航空等领域。

行业大厂积极布局氮化镓功率器件市场。日本东芝子公司发布首款氮化镓功率器件；美国Odyssey公司开发垂直结构氮化镓器件，最高工作电压达1200V，提供更高功率转化效率；日本ROHM公司推出集成栅极驱动器和氮化镓HEMT产品，实现器件体积减少99%，功率损耗降低55%。技术路线包括平面型和垂直型器件，垂直型器件在电流导通和击穿电压方面优势明显，集成式功率器件通过融合驱动器和晶体管进一步提升性能及效率。

氮化镓功率器件的发展前景广阔，随着性能提升和成本下降，未来将在高、中、低电压场景实现更大潜力，助力新能源车、大规模集成电路和无线通讯等领域的电气化升级。

风险提示：技术进展可能不及预期；行业竞争加剧；政策变化带来的不确定风险。