电子行业深度报告-碳化硅车型密集发布-关注国产衬底厂商扩产、器件厂商上车进展-东吴证券_42页_2mb

电子行业深度报告：碳化硅技术应用及国产化进程

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，凭借耐高压、高频特性成为新能源汽车800V高压快充、充电桩及光伏行业的核心组件，推动产业链降本增效。2023年，小鹏G6、极氪X、智己LS6等多款20-25万元价位车型标配SiC器件，新势力车企的高性能策略显著提升碳化硅渗透率，预计2028年全球市场规模将达66亿美元，2022-2028年复合年增长率（CAGR）达32%。

衬底环节：国产产能释放与技术迭代
SiC衬底是产业链降本关键环节，占器件总成本46%。2022年全球衬底市场中，Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ、SICrystal占据约72%份额，而天科合达、天岳先进等国产厂商以年营收104亿美元、市场占比15%加速追赶。但需注意，碳化硅衬底技术难度高，实际交付能力依赖缺陷密度降低和工艺优化，部分厂商因良率不足或技术落后导致盈利能力承压，可能放缓扩产节奏，尾部产能面临出清风险。

外延工艺：国产技术突破与成本优化
外延环节向上游衬底厂商延伸，向下游代工厂商渗透。国产厂商如天岳先进、天科合达已实现8英寸SiC衬底研发并小批量销售，但模块化生产仍面临技术瓶颈。当前消耗型外延炉产能集中于海外企业（如Aixtron），但国产厂商正逐步打破垄断，瀚天天成、东莞天域等已实现30-40微米厚度外延片量产，未来向100微米发展以满足高电压需求。

器件设计与制造：国产化提速
2021年全球SiC器件前五企业为欧美日企业，合计占93%市场份额。2023年，斯达半导、中芯集成等国产厂商加速布局车规级SiC模块，通过自主芯片研发和产能扩建抢占市场。预计2024年将实现国产器件规模化应用，其中斯达半导已完成SiC主驱模块小批量交付，中芯集成建成2000片/月SiC产能，未来转向5000片/月。

产业链国产化竞争格局
核心技术（降本能力）、有效产能与客户资源是决定竞争的关键。天岳先进作为衬底龙头，已与英飞凌、国家电网等建立合作，2023年H1客户结构优化，前五大客户占比降至52%；晶升股份受益于国内衬底厂商扩产需求，碳化硅长晶炉市占率约27%-29%；中芯集成整合IDM模式，车规级代工产能提升；斯达半导则依托IGBT经验推动SiC模块国产化。

海外大厂动态：技术路线分化与并购整合
Wolfspeed、英飞凌、意法半导体等海外头部企业加速8英寸晶圆量产和供应链布局，技术路线呈现平面与沟槽型SiCMOSFET共存格局。2022年海外SiC扩产投资超800亿元，新增衬底产能250万片。同时，海外大厂通过并购（如安森美收购GTAT）强化产业链整合，提升技术壁垒。

市场风险提示

1. 渗透不及预期：SiC在车端、桩端应用若进展缓慢，将抑制整体需求增长；
2. 国产进度滞后：国内衬底良率（50%）及器件性能仍落后海外厂商（如Wolfspeed毛利30%-35%）；
3. 供需失衡：远期规划产能或超市场需求，引发价格战；
4. 技术迭代风险：8英寸量产成本高，良率提升及工艺创新为关键挑战。

投资建议
关注具备技术优势与客户资源的国产厂商：天岳先进（衬底扩产+客户拓展）、晶升股份（长晶炉龙头）、中芯集成（车规级代工）、斯达半导（SiC模块量产）。同时，警惕产能释放不及预期及海外产业链挤压趋势。

原文数据与趋势预测显示，碳化硅在新能源汽车、充电桩、光伏等领域具高增长潜力，但需克服技术、成本与产能协同问题，国产厂商若能突破瓶颈，有望在行业洗牌中占据有利地位。