深度报告-20230309-东吴证券-半导体行业深度报告_海外观察系列十_从美光破净看存储行业投资机会_39页_2mb

报告摘要

半导体行业深度报告总结

核心内容

存储行业作为半导体产业的重要组成部分，具有强周期性，其价格变动可作为整个半导体行业景气度的风向标。2022年全球存储芯片市场规模约为1334亿美元，占集成电路市场的23%。DRAM和NAND Flash是存储行业两大主要产品，周期性波动通常为3-4年。当前存储行业正处于下行周期，预计2023年内将出现价格触底和需求复苏，迎来拐点。

主要观点

存储行业周期性：存储市场具有显著的周期波动性，价格变动与终端需求紧密相关，且受供需关系影响较大。当前行业进入下行阶段，但有望在2023年恢复增长。
需求端分析：
- 智能手机、服务器和PC是存储行业的主要终端需求。
- 智能手机和PC出货量已见顶，但单机容量仍有提升空间。
- 服务器和算力提升是未来存储需求的主要增长点，特别是ChatGPT等大模型推动算力需求增长，进而带动存储芯片需求。
- 智能电动车的发展将为存储行业带来新的增长动能，尤其是对高带宽存储芯片的需求。
供给侧变化：
- 2022年底，美光大幅削减资本开支，海力士缩减70%-80%，三星作为主要变量，其减产将有助于优化供需结构。
- 三大厂商的资本开支趋缓，整体扩产速度放缓，预计2023年DRAM供给增长有限，NAND供给略高，但未来价格可能呈现波动。
行业投资逻辑：
- 存储芯片价格变动与供需关系直接相关，尤其是DRAM的ASP和毛利率对股价有较强驱动作用。
- 美光的股价已长期跑输SOX和纳斯达克指数，当前PB估值处于安全边际较强的位置，有望迎来反转。

关键信息

市场格局：
- DRAM市场由三星（43%）、海力士（28%）、美光（22.73%）三巨头主导，CR3约94%。
- NAND Flash市场三星（34%）、铠侠电子（19%）、WDC（14%）占据主要份额，CR3约67%。
- NOR Flash市场中国台湾企业旺宏电子、华邦及大陆企业兆易创新占据全球前三，CR3达90.7%。
技术发展：
- DRAM市场正从DDR4向DDR5过渡，DDR5预计在2024年中实现50%的渗透率，未来将成主要驱动力。
- NAND Flash技术从2D向3D演进，堆叠层数不断增加，但未来演进速度或将放缓。
投资建议：
- 建议关注IC设计公司（兆易创新、普冉股份、东芯股份）及存储模组公司（江波龙、佰维存储、德明利）。
- 海外可关注美光、旺宏、华邦电、南亚科、宜鼎等企业。

风险提示

需求复苏不及预期
产能过剩超预期
国产厂商技术进步缓慢

行业趋势与机会

存储行业将逐步进入需求回升、价格触底的阶段。
服务器和算力提升将显著拉动DRAM需求，尤其是DDR5。
智能电动车和工业级存储需求的增长将为NAND Flash市场带来新的机会。

产业链构成

存储产业链包括：

存储晶圆颗粒
主控芯片制造
封装测试
模组厂商集成

总结

存储行业正处于周期性下行阶段，但随着需求端的复苏和供给侧的调整，预计将在2023年内迎来价格和需求的拐点。行业集中度高，主要由三星、美光、海力士等海外大厂主导，但国内厂商在部分细分市场已开始追赶。技术迭代（如DDR5和3D NAND）和新兴应用（如AI算力、智能电动车）将成为推动行业增长的关键因素。投资方面，可关注具备技术优势和市场潜力的IC设计和模组公司，同时留意海外龙头企业的动向。

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