> **来源：[研报客](https://pc.yanbaoke.cn)** ```markdown # 存储芯片市场分析总结：被错杀的可能？ ## 核心内容概述 2026年3月下旬，全球存储芯片板块出现集体回调，市场情绪迅速转向恐慌。投资者普遍认为，谷歌发布的AI内存压缩技术“TurboQuant”将大幅降低内存需求，从而对存储企业造成冲击。然而，摩根士丹利（大摩）提出了不同观点，认为虽然HBM等新型存储需求可能面临逆风，但传统存储板块仍值得重视。 ## 主要观点分析 ### 1. AI技术对存储市场的影响 - **TurboQuant技术引发担忧**：谷歌推出的AI内存压缩技术“TurboQuant”被认为可能减少内存使用，从而对存储芯片市场构成威胁。 - **AI算力军备竞赛推动需求**：在生成式AI进入大规模应用阶段的背景下，高性能SSD（eSSD）需求显著增长，企业级SSD订单未见放缓，推动存储市场整体上涨。 - **传统存储产品面临挑战**：DDR4等传统存储产品价格经历巨幅上涨，但已开始遭遇小客户抵制，市场对这类产品的前景存在不确定性。 ### 2. 存储芯片价格趋势 - **DRAM价格剧烈上涨**：根据TrendForce数据，2026年第一季度DRAM合约价同比上涨约93~98%，第二季度预计上涨58~63%。 - **NAND Flash价格持续攀升**：NAND Flash合约价在2026年第一季度预计上涨85~90%，第二季度则预计上涨70~75%。 - **供需失衡导致短缺**：随着AI算力需求的爆发，原厂将产能大幅向HBM、Server DRAM及企业级SSD倾斜，导致一般型DRAM和NAND Flash供给严重紧缩。预计2026年将出现明确短缺，产能扩张可能需等到2027年底或2028年。 ### 3. 产业投资动态 - **南亚科技获大额投资**：南亚科技近期从铠侠、闪迪等业内公司获得约140亿人民币的投资及长期供货协议，显示市场对eSSD产品景气度的看好。 - **市场资金押注eSSD**：这一投资动作并非单纯看好DRAM产业，而是对eSSD产品需求快速上涨的回应。 ### 4. 未来市场展望 - **传统存储需求萎缩**：模型厂正积极推进存储优化和压缩算法，传统存储需求快速萎缩。 - **供给侧扩产速度加快**：随着市场对AI相关存储产品需求的上升，供给侧扩产速度加快，但产能扩张仍需时间。 - **NAND市场前景更佳**：大摩认为，由于“养龙虾”这类新推理需求推动eSSD需求快速上涨，NAND市场行情更具上涨潜力。MLC与传统TLC NAND在下半年或将面临40%的供应缺口，价格有望从2026年第一季度到第四季度持续上涨。 ## 关键信息 - **市场回调原因**：投资者担忧AI内存压缩技术将减少存储需求。 - **价格涨幅数据**： - DDR4合约价从2025年2月的1.35美元飙升至2026年2月的11.5美元，同比涨幅达752%。 - 2026年第二季度，一般型DRAM合约价预计季增58-63%，NAND Flash合约价预计季增70-75%。 - **供需变化**：AI需求推动存储市场向高性能产品倾斜，导致传统存储供给紧张。 - **投资趋势**：南亚科技获得大额投资，显示市场对eSSD产品的需求看好。 ## 结论 尽管AI内存压缩技术引发市场担忧，但整体来看，存储芯片市场仍由AI算力需求驱动。大摩认为，传统存储板块仍具价值，而NAND市场因eSSD需求上涨，前景更为乐观。随着供需失衡的加剧，存储芯片价格有望在2026年持续上涨，但市场需警惕技术变革带来的潜在冲击。 ```