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存储芯片市场分析总结：被错杀的可能？

核心内容概述

2026年3月下旬，全球存储芯片板块出现集体回调，市场情绪迅速转向恐慌。投资者普遍认为，谷歌发布的AI内存压缩技术“TurboQuant”将大幅降低内存需求，从而对存储企业造成冲击。然而，摩根士丹利（大摩）提出了不同观点，认为虽然HBM等新型存储需求可能面临逆风，但传统存储板块仍值得重视。

主要观点分析

1. AI技术对存储市场的影响

• TurboQuant技术引发担忧：谷歌推出的AI内存压缩技术“TurboQuant”被认为可能减少内存使用，从而对存储芯片市场构成威胁。
• AI算力军备竞赛推动需求：在生成式AI进入大规模应用阶段的背景下，高性能SSD（eSSD）需求显著增长，企业级SSD订单未见放缓，推动存储市场整体上涨。
• 传统存储产品面临挑战：DDR4等传统存储产品价格经历巨幅上涨，但已开始遭遇小客户抵制，市场对这类产品的前景存在不确定性。

2. 存储芯片价格趋势

• DRAM价格剧烈上涨：根据TrendForce数据，2026年第一季度DRAM合约价同比上涨约93~98%，第二季度预计上涨58~63%。
• NAND Flash价格持续攀升：NAND Flash合约价在2026年第一季度预计上涨85~90%，第二季度则预计上涨70~75%。
• 供需失衡导致短缺：随着AI算力需求的爆发，原厂将产能大幅向HBM、Server DRAM及企业级SSD倾斜，导致一般型DRAM和NAND Flash供给严重紧缩。预计2026年将出现明确短缺，产能扩张可能需等到2027年底或2028年。

3. 产业投资动态

• 南亚科技获大额投资：南亚科技近期从铠侠、闪迪等业内公司获得约140亿人民币的投资及长期供货协议，显示市场对eSSD产品景气度的看好。
• 市场资金押注eSSD：这一投资动作并非单纯看好DRAM产业，而是对eSSD产品需求快速上涨的回应。

4. 未来市场展望

• 传统存储需求萎缩：模型厂正积极推进存储优化和压缩算法，传统存储需求快速萎缩。
• 供给侧扩产速度加快：随着市场对AI相关存储产品需求的上升，供给侧扩产速度加快，但产能扩张仍需时间。
• NAND市场前景更佳：大摩认为，由于“养龙虾”这类新推理需求推动eSSD需求快速上涨，NAND市场行情更具上涨潜力。MLC与传统TLC NAND在下半年或将面临40%的供应缺口，价格有望从2026年第一季度到第四季度持续上涨。

关键信息

• 市场回调原因：投资者担忧AI内存压缩技术将减少存储需求。
• 价格涨幅数据：
  • DDR4合约价从2025年2月的1.35美元飙升至2026年2月的11.5美元，同比涨幅达752%。
  • 2026年第二季度，一般型DRAM合约价预计季增58-63%，NAND Flash合约价预计季增70-75%。
• 供需变化：AI需求推动存储市场向高性能产品倾斜，导致传统存储供给紧张。
• 投资趋势：南亚科技获得大额投资，显示市场对eSSD产品的需求看好。

结论

尽管AI内存压缩技术引发市场担忧，但整体来看，存储芯片市场仍由AI算力需求驱动。大摩认为，传统存储板块仍具价值，而NAND市场因eSSD需求上涨，前景更为乐观。随着供需失衡的加剧，存储芯片价格有望在2026年持续上涨，但市场需警惕技术变革带来的潜在冲击。