20260110-国盛证券-电子周观点_存力新篇章开启_16页_1mb

电子行业周观点总结

核心内容

本报告聚焦电子行业，尤其是存储与半导体领域，重点分析了2025年第四季度及2026年第一季度的行业动态与趋势。

主要观点

存储技术升级与需求增长

1. 英伟达存储系统全面升级
   • DRAM：Vera平台配套CPU支持最高1.5TB LPDDR5X内存，提供1.2TB/s内存带宽，性能较前一代提升三倍，预计带动DRAM单机需求数倍增长，企业级存储紧缺加剧。
   • NAND：推出基于BlueField-4 DPU的推理上下文内存存储平台，为每个GPU额外增加16TB NAND，显著提升NAND需求及确定性。

海外存储厂商业绩亮眼

1. 三星：2025年第四季度营业利润达20万亿韩元，同比增长208%，创历史新高；销售额同比增长23%，达93万亿韩元。
2. 南亚科技：2025年12月营收达120.17亿新台币，同比增长444.87%，创历史新高；全年营收达665.87亿新台币，同比增长95%。
3. 威刚：2025年12月营收达58.1亿新台币，同比增长101%，全年营收突破500亿新台币，达530亿新台币，同比增长32%。
4. 群联：2025年12月营收达87.12亿新台币，同比增长93%，创历史新高；全年营收达726.64亿新台币，同比增长23%。
   • 群联控制芯片总出货量年增97%，其中PCIe SSD控制芯片同比增长15%，NAND Bit Growth同比增长16%。
   • 面对供需紧张，群联采取惜售策略，优先满足企业级与工控市场，零售端明显缩量。

存储器价格普涨，市场景气持续

1. 2026年第一季度价格预测
   • DRAM：一般型DRAM合约价季增55-60%，HBM Blended合约价季增50-55%。
   • NAND Flash：合约价季增33-38%。
   • MLC NAND Flash：2026年全球产能年减41.7%，供需失衡加剧，价格持续上涨。
   • NOR Flash：因MLC NAND Flash供应体系断层，旺宏减少原有NOR Flash产能，扩大MLC NAND Flash供应，带动中高容量NOR Flash价格支撑。

关键信息

存储技术发展

• Vera Rubin平台：采用全无缆模块化托盘设计，整体推理性能提升5倍，训练性能提升3.5倍，搭载54TB LPDDR5X内存、20.7TB HBM4内存及1.6PB/s带宽，可支持AI推理突破长上下文内存瓶颈。
• BlueField-4 DPU：带宽提升2倍，内存带宽提升3倍，计算性能提升6倍，管理AI的上下文记忆系统。
• ConnectX-9智能网卡：支持200G PAM4 SerDes技术，单卡带宽达1.6TB/s，提升AI计算效率。
• Spectrum-X以太网交换机：共封装光学技术提升性能与可靠性，单颗交换芯片带宽达28.8TB/s，支持大规模集群互联。

存储市场动态

• AI Server需求驱动：2026年第一季DRAM原厂大规模转移产能至Server与HBM应用，导致其他市场供给紧张，价格显著上涨。
• Client SSD市场：受笔电出货季减影响，需求下降，但因原厂供给受限，合约价季增至少40%，涨幅最大。
• NAND Flash市场：因CSP（云端服务业者）强劲拉货，供需失衡，价格持续上涨。

重点标的

股票代码	股票名称	投资评级	EPS（元）	PE
300475.SZ	香农芯创	买入	0.57 / 1.30 / 2.59 / 4.36	189.20 / 126.79 / 63.71 / 37.88
300476.SZ	胜宏科技	买入	1.33 / 5.76 / 13.79 / 22.68	199.80 / 51.21 / 21.37 / 13.00
002384.SZ	东山精密	买入	0.59 / 1.20 / 3.30 / 4.37	110.90 / 67.91 / 24.69 / 18.62
603986.SH	兆易创新	买入	1.65 / 2.19 / 2.91 / 3.57	149.50 / 114.30 / 85.90 / 70.14
688012.SH	中微公司	买入	2.58 / 3.60 / 5.52 / 7.74	87.40 / 93.65 / 61.03 / 43.49

风险提示

1. 下游需求不及预期
2. 研发进展不及预期
3. 地缘政治风险