AI驱动存储涨价行情延续_长存长鑫本土产能扩张带动国产链机机遇_13页_1mb

报告摘要

AI驱动存储涨价行情延续，长存长鑫本土产能扩张带动国产链机遇

核心内容

存储芯片价格持续上涨：AI服务器和数据中心需求持续增长，导致全球存储器供需失衡，推动存储芯片价格上行。2026年第一季度，一般型DRAM合约价环比提升93%~98%，NAND Flash合约价环比提升85%~90%。预计2026年第二季度DRAM合约价仍将季增58-63%，NAND Flash合约价季增70-75%。
存储供给扩张加速：全球主要存储原厂积极扩产HBM，2026年资本开支预计高于原计划。美光、SK海力士和三星的资本支出分别上调至250亿美元以上、203亿美元（同比+40%）、400亿美元（同比+20%）。
国内存储制造端进展：长江存储和长鑫存储均开启IPO进程，产能持续扩张。长江存储的武汉三期工厂提前至2026年下半年量产，新增月产能10万片12英寸晶圆，达产后总月产能提升至30万片。长鑫存储拟募资295亿元，用于技术升级和研发，预计2026年现有三厂产能全部达产。
AI驱动存储需求增长：AI服务器需求推动HBM市场快速增长，Yole预计2026年全球HBM市场规模将达460亿美元，占DRAM市场比重达35%。AI手机和AI PC推动单机平均存储容量提升，带动总存储容量需求数倍增长。
产业链投资机会：存储扩产和国产替代双轮驱动下，设备、材料、封测等环节迎来高景气。相关公司包括设备（北方华创、中微公司等）、材料（江丰电子、鼎龙股份等）、封测（长电科技、通富微电等）。

主要观点

供需失衡推动价格上涨：AI和数据中心需求持续增长，加剧全球存储器供需失衡，原厂议价能力增强，存储芯片价格持续上涨。
HBM成为重点扩产方向：全球存储原厂加大HBM投资，2026年资本开支显著增加，以满足AI服务器等高需求场景。
国产替代加速：长江存储和长鑫存储产能扩张，IPO进程推进，推动国产存储产业链发展，带动设备、材料和封测环节订单增长。
AI需求驱动存储行业长期增长：AI推理需求是本轮存储行业上行周期的主要驱动力，行业景气有望长期延续。
产业链公司业绩高增：存储行业缺货预计延续至2027年，产业链公司业绩有望持续高增，相关公司包括模组、利基存储和存储接口芯片企业。

关键信息

存储芯片价格：2026年Q1，DRAM合约价环比上涨93%~98%，NAND Flash合约价环比上涨85%~90%；预计2026年Q2，DRAM合约价季增58-63%，NAND Flash合约价季增70-75%。
存储原厂扩产：美光2026年资本支出上调至250亿美元以上，SK海力士同比增幅超40%，三星预计资本支出约400亿美元。
长江存储：开启上市辅导备案，武汉三期工厂提前至2026年下半年量产，新增月产能10万片，达产后总月产能提升至30万片，未来计划再建两座晶圆厂，总产能提升超100%。
长鑫存储：IPO恢复审核，2026Q1营收508亿元，归母净利润248亿元，指引2026H1营收1100-1200亿元，归母净利润500-570亿元。拟募资295亿元，用于技术升级和研发。
AI对存储需求的拉动：每投资1美元算力，对应投资0.5美元存储。AI服务器单机HBM价值量达1.8万美元，AI手机/AI PC推动单机存储容量翻2~4倍。
产业链公司受益：设备（北方华创、中微公司）、材料（江丰电子、鼎龙股份）、封测（长电科技、通富微电）等环节有望受益于存储行业景气周期。

风险提示

下游需求不足风险：若宏观环境变化导致下游需求不足，可能影响存储产品需求。
地缘政治风险：美国对中国政策变化可能对行业造成冲击。
核心竞争力风险：半导体行业技术迭代快，若产品无法满足客户需求，可能影响公司业绩。
估值风险：部分公司可能存在静态相对估值较高的风险。

重点公司财务指标及估值情况

代码	公司名称	主营业务	市值 (亿元)	25年营收 (亿元)	25年归母净利润 (亿元)	PE(2025)	26年一致预期 (亿元)	26年归母净利润预计增速	PE(2026E)	27年一致预期 (亿元)	PE(2027E)
600584.SH	长电科技	先进封装	1,578.08	388.71	14.87	106.13	20.83	40%	75.78	27.12	58.19
002156.SZ	通富微电	先进封装	1,144.12	279.21	9.86	116.09	15.80	60%	72.42	19.74	57.97
688012.SH	中微公司	刻蚀设备	2,914.74	123.85	19.14	152.29	32.28	69%	90.29	44.62	65.33
002371.SZ	北方华创	半导体设备龙头	4,858.19	393.53	62.89	77.25	79.54	26%	61.08	109.12	44.52
301308.SZ	江波龙	大容量存储	2,280.09	227.66	6.54	348.44	123.43	1786%	18.47	101.53	22.46
688008.SH	澜起科技	存储接口芯片	3,327.93	54.56	20.66	161.08	33.35	61%	99.79	44.15	75.38
603986.SH	兆易创新	NOR Flash龙头	3,689.34	92.03	13.54	272.55	47.79	253%	77.21	58.90	62.63

附录

免责声明：本报告由长城证券产业金融研究院发布，仅供专业投资者及风险承受能力为稳健型、积极型、激进型的普通投资者参考，不构成投资建议。
分析师声明：分析师具有证券投资咨询执业资格，独立出具本报告，不因报告内容获取报酬。
投资评级说明：
- 公司评级：
  - 买入：预期未来6个月内股价相对行业指数涨幅15%以上；
  - 增持：预期未来6个月内股价相对行业指数涨幅介于5%~15%之间；
  - 持有：预期未来6个月内股价相对行业指数涨幅介于-5%~5%之间；
  - 卖出：预期未来6个月内股价相对行业指数跌幅5%以上。
- 行业评级：
  - 强于大市：预期未来6个月内行业整体表现战胜市场；
  - 中性：预期未来6个月内行业整体表现与市场同步；
  - 弱于大市：预期未来6个月内行业整体表现弱于市场。

总结

本报告分析了AI驱动下存储芯片价格持续上涨的趋势，指出全球存储器供需失衡导致价格上行，预计2026年第二季度DRAM和NAND Flash合约价仍将保持增长。同时，美光、SK海力士和三星等原厂加大HBM投资，2026年资本开支显著增加。国内长江存储和长鑫存储产能扩张加速，IPO进程推进，带动国产存储产业链发展。AI需求推动存储市场长期增长，产业链公司业绩有望持续高增，相关公司包括设备、材料、封测、模组和利基存储等。报告还列出了重点公司财务指标及估值情况，并提示了相关风险。

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