> **来源：[研报客](https://pc.yanbaoke.cn)** # 半导体设备行业深度分析：AI发展带动HBM需求爆发，设备商受益 ## 核心内容概览 随着AI技术的快速发展，HBM（高带宽内存）需求持续爆发，推动存储行业进入新一轮扩产周期。同时，DRAM供需持续偏紧，全球存储行业面临产能紧张局面，AI对存储的挤出效应在未来两年内仍难以缓解。 ## 主要观点 ### 1. **AI驱动HBM需求激增** - AI训练与推理需求增长，推动GPU、ASIC等AI芯片出货量持续提升，HBM作为AI芯片的关键组件，需求呈现量价齐升趋势。 - 全球HBM wafer需求将从2024年的2.9万片/月增长至2028年的44.2万片/月，年均复合增速超过90%。 - 2026年全球AI芯片出货量预计达到约2,657万颗，年均复合增速约38%。 ### 2. **HBM带动存储制程升级，设备投资需求上升** - 随着HBM向HBM4、HBM4E演进，DRAM制程持续升级，3D NAND向更高层数发展，设备投资需求同步增加。 - 薄膜沉积、刻蚀、量测设备合计占存储设备资本开支超过50%，成为本轮扩产周期的核心受益环节。 ### 3. **国内外存储厂商同步扩产，设备商受益** - 海外厂商如三星、SK海力士、美光持续扩大HBM与先进DRAM产能，国内厂商如长鑫存储、长江存储扩产节奏加快，国产存储市占率有望提升。 - 存储行业面临供需紧平衡，设备厂商将受益于持续扩产需求。 ### 4. **AI算力需求推动存储成本上涨，影响终端市场** - 存储成本上涨传导至终端产品，导致智能手机、新能源汽车等领域的出货量下降，利润空间被压缩。 - 长鑫科技等存储厂商通过战略配售与下游客户建立稳定合作，缓解成本压力。 ### 5. **存储扩产带来设备投资增长** - 存储行业技术迭代加速，设备投资规模随制程节点的提升而增加，如5nm制程设备投资额是28nm的3.5倍。 - 薄膜、刻蚀、量测设备在存储扩产中的占比超50%，相关厂商将显著受益。 ## 关键信息 ### 1. **HBM市场结构** - 2025年，HBM市场由SK海力士（58.3%）、三星（20%）、美光（20%）主导。 - HBM3e系列占96.3%，HBM4系列仅占0.6%，尚未实现大规模量产。 ### 2. **HBM对DRAM产能的挤占** - 2024-2028年，HBM wafer需求从2.9万片/月增至44.2万片/月，年均复合增速超过90%。 - HBM在DRAM产能中的占比预计从2025年的17.1%提升至2027年的22.5%，AI需求占HBM产能比重从58.5%提升至79.5%。 ### 3. **AI芯片对HBM的拉动** - 英伟达GPU迭代推动HBM容量与带宽升级，如Vera Rubin单GPU容量达288GB、带宽22TB/s，Rubin Ultra有望达到1TB。 - 谷歌TPU的HBM容量和带宽持续提升，如TPU v8i单芯片容量达288GB、带宽8.6TB/s。 ### 4. **存储成本上涨对终端的影响** - 存储成本占智能手机售价比重从15%上升至40%，导致低端机型利润空间被大幅压缩。 - 新能源汽车中端车型因存储成本上涨，部分型号销量下滑，甚至出现单车亏损。 ### 5. **存储扩产趋势与设备需求** - 全球DRAM产能预计在2030年翻倍，长鑫存储、长江存储市占率稳步提升，有望进一步扩大市场份额。 - 存储设备投资中，薄膜沉积、刻蚀、量测设备占比超50%，是设备商的主要受益环节。 ## 投资建议 ### 前道设备 - **重点推荐**：北方华创、中微公司、迈为股份、芯源微、屹唐股份、中科飞测、精测电子、天准科技、拓荆科技、微导纳米、先导基电、华海清科、盛美上海、晶盛机电 - **理由**：产品矩阵与存储扩产需求高度吻合，具备平台化能力及国产替代优势。 ### 后道设备 - **重点推荐**：长川科技、华峰测控 - **建议关注**：联讯仪器、精智达、联动科技 ### 材料和零部件 - **重点推荐**：富创精密、新莱应材、英杰电气、汉钟精机、晶盛机电 ## 风险提示 - 半导体行业投资不及预期 - 设备国产化进程不及预期 - 技术迭代及工艺路线变化风险 - 下游扩产不及预期 - 新产品研发及验证不及预期