存算一体白皮书(2022年)-中国移动研究院_24页_23mb
报告摘要
存算一体白皮书总结
核心内容
存算一体是一种融合存储与计算的新型计算架构,旨在解决传统冯·诺依曼架构下的“存储墙”和“功耗墙”问题,提升计算能效。该技术被中国移动视为算力网络的重要组成部分,并被列为算力网络十大关键技术之一。通过将存储与计算融合,存算一体有望成为数字经济时代的核心生产力。
主要观点
- 存算一体技术是突破传统计算架构瓶颈的关键路径。
- 存算一体技术涵盖三种主要方案:近存计算(PNM)、存内处理(PIM)和存内计算(CIM)。
- 存内计算(CIM)是狭义的存算一体,具有更高的能效比,适用于AI算法加速,如卷积神经网络(CNN)和循环神经网络(RNN)。
- 存算一体技术面临诸多挑战,包括新器件成熟度低、电路设计不成熟、芯片架构通用性差、EDA工具链不完善、软件及算法生态不健全。
- 中国移动提出五大发展建议,旨在推动存算一体技术成熟和产业化进程。
关键信息
存算一体技术分类
-
近存计算(PNM)
- 通过先进封装技术将存储与计算单元集成,提升访存带宽。
- 典型产品包括高带宽内存(HBM)和可计算存储设备(CSD)。
- 适用于人工智能、大数据、边缘计算等场景。
-
存内处理(PIM)
- 在芯片内部实现计算与存储的紧密集成,提升计算效率。
- 典型方案如HBM-PIM和PIM-DIMM。
- 适用于语音识别、数据库索引、基因匹配等场景。
-
存内计算(CIM)
- 存储与计算完全融合,实现高能效计算。
- 通过不同存储介质的物理特性,实现计算与存储的协同。
- 典型应用场景包括AI推理,尤其适用于大规模数据处理。
存内计算存储器件分析
| 器件 | 易失特性 | 多值存储 | 现有工艺节点 | 理论工艺极限 | 单比特存储面积(F²/bit) | 读写次数 | 应用场景 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SRAM | 易失 | 否 | 5nm | 2nm | ~300 | 无限 | 云侧和边侧的推理与训练 |
| NOR Flash | 非易失 | 是 | 28nm | 14nm | ~7.5 | 10^6 | 边侧和端侧的推理 |
| RRAM | 非易失 | 是 | 28nm | 5nm | 20~40 | 10^8 | 云侧、边侧和端侧的推理 |
| MRAM | 非易失 | 否 | 16nm | 5nm | ~30 | ~10^15 | 云侧和边侧的推理与训练 |
| PCM | 非易失 | 是 | 28nm | 5nm | ~24 | 10^8 | 云侧、边侧和端侧的推理 |
存算一体应用场景
-
端侧
- 适用于需要本地处理的场景,如智能眼镜、耳机、摄像头等。
- 能效比显著优于传统方案,且成本较低。
-
边侧
- 用于云游戏、车联网等边缘计算场景。
- 对时延、功耗和通用性要求较高,存算一体芯片能有效满足这些需求。
-
云侧
- 用于大规模AI训练与推理,尤其是非结构化数据处理。
- 需要高算力、高带宽、低功耗的芯片,存算一体有望成为下一代AI芯片技术。
技术挑战
-
新器件成熟度低,制造工艺难升级
- 新型存储器件如RRAM、PCM、MRAM在一致性、寿命和可靠性方面存在差异,影响产品性能。
-
电路设计影响芯片算效提升
- 存算一体芯片的电路设计尚不成熟,需进一步优化。
-
芯片架构场景通用性及规模扩展能力较差
- 当前存内计算芯片支持的算子种类有限,缺乏通用性。
-
EDA工具链尚未健全
- 缺乏标准单元库、仿真验证工具和建模评估工具,影响研发效率。
-
软件及算法生态不完善
- 缺乏通用开发环境和编译器,限制了存算一体芯片的广泛应用。
发展建议
-
协同先进封装技术,实现不同方案结合
- 推动RRAM、PCM、MRAM等新型器件与先进工艺兼容,实现优势互补。
-
优化电路与芯片架构,保障能效与演进能力
- 加强存算阵列及周边模块电路设计,构建通用芯片架构。
-
加速EDA工具孵化,缩短研发周期
- 建立涵盖仿真、可靠性、低功耗、计算模块设计的EDA工具链。
-
构建开发生态与编程框架
- 推动开源及标准生态,搭建面向存算一体的编程框架。
-
产学研紧密协同,推动端侧到云侧演进
- 建立端到端技术栈,拉通器件、芯片、工具链、软件生态、产业方案等全链条。
产业发展倡议
中国移动呼吁产学研界紧密合作,共同攻关存算一体核心技术,推动产业链上下游协同发展,加快存算一体产业化进程。通过标准制定、开源推动、产业合作等方式,构建从底层芯片到上层应用的繁荣生态,助力我国在先进计算领域实现高水平自立自强。
展开完整摘要
试读结束,高清完整版pdf/doc/ppt,请点下载