20260620-国金证券-计算机行业研究_电RAM与DRAM对比分析_11页_2mb

报告摘要

电容与DRAM对比分析总结

核心内容

电容被比喻为“电RAM”，其在AI算力系统中承担能量缓冲的角色，与DRAM在数据缓冲中的作用高度同构。电容体系按照“时间常数阶梯”分层，构成完整的“电能缓冲网络”，其层级结构与存储系统层级相似，即越靠近运算核心，响应越快、单位价值越高、技术壁垒越陡。电容需求不仅受算力增长驱动，还受功率密度、架构复杂度和容量配置影响，脱离了“按GPU颗数线性外推”的逻辑。

主要观点

系统角色同构
- 电容与DRAM在物理原理和系统角色上高度一致，都是为高速运算提供即时缓冲。
- 电容用于电能缓冲，DRAM用于数据缓冲，二者在系统层级结构上存在类比关系。
按时间常数分层
- 电容体系根据响应时间常数分为六类：硅电容、MLCC、MLPC、牛角铝电解电容、超级电容/锂离子电容、薄膜电容。
- 各类电容在不同层级承担不同功能，如硅电容用于亚纳秒级去耦，超级电容用于毫秒至秒级备电与功率缓冲。
系统级增量需求
- 市场对电容需求的认知主要停留在“白区”，即靠近服务器和机柜的区域，而真正的增量发生在“灰区”，如电网接入、多级降压、配电、电容箱等环节。
- 随着AI服务器功率提升和供电架构向800V HVDC与SST演进，灰区电容需求将进一步显性化。
量价齐升逻辑
- 需求端：AI算力提升带动电容价值量提升，需求弹性显著高于GPU出货增速。
- 价格端：传统铝电解电容进入涨价通道，AI高端电容按“重定价”逻辑提升价值。
- 供给端：高端材料供应受限，国产厂商具备高自供率和工程能力，有望抢占市场份额和定价权。

关键信息

电容与DRAM同构
- 电容用于能量缓冲，DRAM用于数据缓冲。
- 需求扩张非线性，由功率密度、架构复杂度、容量配置共同驱动。
六类电容分层应用
- 硅电容：封装内，亚纳秒级，承担瞬态去耦。
- MLCC：板级，纳秒级，高频去耦。
- MLPC：板级，微秒级，替代多颗MLCC，适用于高容值场景。
- 牛角铝电解电容：电源模块，微秒至毫秒级，稳压削峰。
- 超级电容/锂离子电容：机柜侧，毫秒至秒级，备电与功率缓冲。
- 薄膜电容：高压直流母线，承担纹波吸收，800V架构下的承接环节。
白区与灰区增量
- 白区（靠近运算核心）加密，灰区（从电网到机柜）铺开，系统级扩张显著。
- 市场普遍低估灰区需求，导致对真实需求的系统性低估。
国产替代窗口开启
- 海外厂商扩产保守，国产厂商具备材料自供能力、工程能力和成本优势，有望在高端电容市场取得突破。

类别	标的
电容	江海股份、东阳光、海星股份、祥和实业、万裕科技、元力股份、思源电气、艾华集团
MLCC	三环集团、风华高科、火炬电子、洁美科技、博纤新材、商络电子、利和兴、国瓷材料、信维通信
SST	四方股份、金盘科技、阳光电源、可立克、京泉华
SiC	天岳先进、晶升股份、宇晶股份、三安光电