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存储测试机专题：AI算力催生HBM需求，国产设备商加速突破

核心内容概览

随着AI算力需求的爆发式增长，存储芯片市场尤其是HBM（高带宽存储器）迎来了前所未有的发展机遇。HBM凭借高带宽、低延迟和低功耗优势，成为AI服务器和高性能计算的核心组件，其市场需求快速扩张。与此同时，存储测试机的需求也随之提升，测试复杂度和测试设备性能要求显著增加，国产替代空间广阔。

主要观点

1. 存储持续涨价，两存上市在即，扩产逻辑持续强化

• 2024年底至2026年6月，DRAM现货价格涨幅显著，DDR4（8Gb）涨幅超17倍，DDR5（16Gb）涨幅约4.9倍。
• NAND Flash价格同样大幅上涨，64Gb MLC涨幅达6.5倍，32Gb MLC涨幅约6.2倍。
• 长鑫存储2025年营收达618亿元，2026Q1营收同比增长719%，产能利用率长期维持在90%以上，2025年达95.7%。
• 长鑫存储资本开支持续高位，2024年为712.3亿元，2025年为497.4亿元，显示出其产能扩张和技术升级的持续推进。

2. AI算力需求推动HBM市场发展

• AI服务器出货量从2023年的118.3万台增长至2025年的214万台，预计2026年达275万台。
• HBM成为AI芯片主流方案，主要应用于GPU和AI加速器，其在BOM成本中占比显著提升，2026年VR200中内存成本占比达25%。
• HBM通过3D堆叠和硅通孔（TSV）技术实现高带宽和低功耗，其技术迭代已从HBM2、HBM2e发展至HBM3、HBM3e，并向HBM4演进。

3. HBM堆叠对测试机提出新要求

• HBM采用3D堆叠架构，测试重心前移至KGSD（已知良率堆叠芯片）测试环节。
• 测试道数由传统DRAM的3–4道提升至15道以上，存储测试机需求约为传统DRAM的5–6倍。
• 测试设备需具备更高的供电能力、时序精度、高并行测试能力和测试算法，以应对HBM的高复杂性。

4. 存储测试机国产化率低，替代空间大

• 2025年，存储测试机市场由爱德万和泰瑞达主导，市场份额分别达61%和24%，国产化率仅为8%-10%。
• 国内厂商如长川科技、精智达、联讯仪器、悦芯科技正加速布局，有望在未来实现突破。

关键信息

HBM技术演进与市场格局

• HBM技术迭代：
  • HBM2（2018）→ HBM2e（2020）→ HBM3（2022）→ HBM3e（2024）→ HBM4（2026）。
  • HBM3e单颗容量达24-48GB，单Pin传输速率提升至8.0-9.8Gbps，带宽可达1024-1200GB/s。
• 市场格局：
  • 2025年，SK海力士占据HBM市场58.3%，三星和美光分别占比约20%。
  • HBM3e占据市场96.3%，HBM3和HBM2e分别占2.2%和1%。
  • HBM4预计2026年实现量产，SK海力士、三星、美光将主导市场。

HBM测试流程与设备需求

• 测试流程：
  • 存储厂主要进行晶圆级测试（CP）和KGSD测试。
  • 下游封测厂进行SiP封装测试和系统级测试（SLT）。
• 测试设备需求：
  • HBM测试对测试设备的并行能力、时序精度、信号完整性、稳定性等要求极高。
  • 存储测试机的核心指标是UPH（每小时测试数量）和Cost of Test（测试成本）。
  • HBM测试机数量需求约为传统DRAM的5-6倍，测试设备价值量显著提升。

测试机市场发展趋势

• 2025年全球半导体测试设备市场规模约112亿美元，占整体半导体设备市场的8.4%。
• SoC测试机与存储测试机市场占比超80%（按出货量计算）。
• 存储测试机在CP和FT阶段差异显著，通常为专用机型，而SoC测试机可通过更换探针卡和测试程序实现CP与FT的灵活切换。

HBM测试与传统DRAM测试对比

• 测试环节：
  • DRAM需经历CP1、CP2、高速FT、中低速FT、老化等多阶段测试，而NAND测试流程相对简化。
• 测试难度：
  • DRAM测试对高速时序精度、信号完整性、电源完整性等要求更高，测试设备单价显著高于NAND。
  • HBM测试进一步提升了难度，增加了TSV、KGD、Stack等测试项目，测试设备需满足更高并行度和稳定性。

投资建议

• 重点推荐：长川科技（国内存储测试机领先布局厂商）。
• 建议关注：精智达、联讯仪器、悦芯科技（未上市）。

风险提示

• 封测设备需求不及预期。
• 技术研发不及预期。
• 行业竞争加剧。