20260626-广发证券-2026中期策略_电子_AI创新与存储周期_30页_4mb
报告摘要
2026中期策略 | 电子:AI创新与存储周期
核心内容
本报告围绕AI创新与存储周期两大主线,分析了2026年电子产业链的发展趋势与投资机会。AI创新推动了PCB市场快速增长,尤其是AI服务器、交换机、光模块和存储模组等应用领域,对PCB的规格、材料和工艺提出了更高要求。同时,存储周期持续紧张,LTA锁价维持高毛利,国产存储厂商在技术与资金双重支持下加速扩产,带动上游设备与材料需求提升。
主要观点
1. AI创新推动PCB市场爆发式增长
- Agent时代到来:随着模型能力提升与推理成本下降,大模型逐步进入规模化商业应用,Agent应用将推动AI硬件消耗与产业链格局重构。
- AI PCB市场快速增长:预计2026年AI PCB市场规模达181.4亿美元,2027年达383.1亿美元,同比增长111%。
- 算力、光存、交换机等共同驱动:Rubin系列新增midplane/CPX/正交背板,带来单GPU PCB价值量提升;谷歌TPU V7与AWS Trainium3等产品升级,推动PCB规格提升。
- mSAP工艺迎来HDI时刻:mSAP工艺因高线路精度与低信号损耗,成为高速光模块、存储模组等关键应用的首选,带动PCB行业技术升级。
- CCL材料升级:M8成为AI主流材料,低端CCL持续涨价,高端材料国产替代趋势明确。
2. 存储周期持续紧张,LTA锁价支撑高毛利
- AI存储需求高增长:单GPU对应的DRAM与NAND存储容量持续提升,供需缺口预计延续至2027年。
- DRAM供需矛盾突出:2026年DRAM需求增速达26%,但新增产能释放节奏偏慢,短期难以匹配需求增长。
- NAND供需紧张加剧:海外原厂投入收缩与技术升级损耗叠加,NAND供给紧张,价格持续上涨。
- LTA价格支撑高毛利率:海外存储厂商在2026年第二季度毛利率环比提升,CSP积极签订长期协议(LTA)以确保供应。
- 国产存储厂商崛起:长鑫存储与长江存储在DRAM与NAND领域实现快速扩张,市场份额提升显著,带动上游设备与材料需求。
关键信息
AI PCB市场增长驱动因素
- 服务器PCB:Rubin系列新增中,单机柜PCB用量激增,预计2026年市场规模为146.3亿美元。
- 交换机PCB:端口速率提升至1.6T,PCB层数从22-28层提升至46-52层,预计2026年市场规模为21.4亿美元。
- 光模块PCB:1.6T光模块需求旺盛,PCB层数升级为12层任意互联HDI,材料升级至M8,预计2026年市场规模为11.3亿美元。
- 存储模组PCB:AI存储模组PCB层数提升,材料损耗降低,预计2026年市场规模为3.4亿美元。
存储周期关键数据
- DRAM需求与价格:2026年Q2合约价环比上涨58-63%,其中LPDDR5X价格季增78-83%。
- NAND需求与价格:2026年Q2 NAND Flash合约价环比上涨70-75%,供需缺口持续至2027年。
- LTA锁价策略:海外存储厂商通过LTA锁定价格,提升毛利率,如美光、闪迪、西部数据等。
- 国产存储厂商表现:长鑫存储2026年Q1营收同比暴涨719.13%,净利润增长1268.45%;长江存储营收同比大增445%,市场份额提升至13%。
投资建议
- 关注AI产业链:建议关注算力、PCB、存储等关键环节的标的,尤其是具备mSAP工艺能力的PCB厂商,以及国产存储龙头。
- 重点标的:包括具备高端CCL制造能力的厂商、mSAP工艺相关企业、国产存储厂商(如长鑫存储、长江存储)等。
- 产业链协同效应:存储厂商扩产将带动上游设备与材料需求,如3D NAND设备、DRAM制程设备、CMP材料、电子特气与前驱体等。
风险提示
- 下游需求不及预期
- 新产品研发不及预期
- 行业竞争加剧
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