20260320-中信证券-半导体材料_三星计划罢工或致全球半导体供应紧张加剧_关注国内存储产业链核心供应商_3页_179kb

半导体材料行业总结：三星罢工或加剧全球供应紧张，关注国内存储产业链核心供应商

核心内容

本文分析了三星电子计划举行的全国总罢工可能对全球半导体材料行业产生的影响，并重点探讨了国内存储产业链核心供应商在行业高景气度下的发展机遇。随着AI需求的持续增长，存储芯片市场保持紧张状态，价格持续上涨，为国内厂商提供了提升市场份额的机会。

主要观点

• 三星罢工风险：三星电子工会已通过集体斗争行动议案，计划于5月21日至6月7日举行为期18天的全国总罢工，可能影响其在韩国平泽半导体园区的DRAM、NAND闪存及HBM芯片生产，进而加剧全球存储芯片供应紧张。
• 国内存储厂商崛起：国内存储大厂如长鑫科技在产能和市场份额上取得显著进展，已跻身全球第四大DRAM厂商。同时，国产3D NAND产品已实现232层量产，并持续向更高堆叠层数发展。
• 技术迭代加速：国内存储厂商在DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X等主流产品上实现量产，技术能力不断提升，为未来产能扩张奠定基础。
• 行业高景气度持续：在AI等应用推动下，存储芯片市场仍处于高景气周期，价格持续上涨，有利于国内厂商扩大市场份额。
• 材料及零部件需求增长：随着存储器件向3D化发展，晶圆制造工艺对半导体材料的需求将显著增加，薄膜沉积、CMP、刻蚀、电镀等环节将受益，国内核心供应商有望获得更大增长空间。

关键信息

• 三星罢工时间：计划于2026年5月21日至6月7日举行，影响其在韩国平泽的芯片生产线。
• 市场影响：罢工可能进一步加剧全球存储芯片供应紧张，导致价格继续上涨。
• 国内厂商表现：
  • 长鑫科技：全球第四大DRAM厂商，2025年Q2DRAM销售额市场份额为3.97%。
  • 国产3D NAND：已实现232层量产，持续向更高堆叠层数迭代。
  • 国产DRAM：已实现主流第四代、第五代DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X等的量产。
• “十五五”期间展望：国内存储大厂产能扩张和技术迭代有望加速，全球市占率持续提升。
• 投资逻辑：在存储芯片供应紧张、价格上行的背景下，国内存储大厂的扩张和技术进步将带动半导体材料及零部件的需求增长，核心供应商具备较强的成长性与向上空间。

风险因素

• 三星电子总罢工行动变动超预期；
• 国内大厂扩产进度不及预期；
• 行业需求萎缩；
• 国产替代进程不及预期；
• 海外对华半导体产业限制措施加码；
• 企业新产品研发和放量不及预期。

投资策略

在三星可能罢工导致全球存储芯片供应紧张的背景下，国内存储大厂有望通过产能扩张和技术迭代提升全球市场份额。同时，随着存储器件向3D化发展，半导体材料及零部件的需求将显著增加，建议关注产业链核心供应商的长期增长潜力。

作者信息

• 李超：新材料行业首席分析师，S1010520010001
• 陈旺：新材料产业研究分析师，S1010520090003
• 俞腾：新材料产业研究分析师，S1010524120014
• 郭柯宇：新材料产业研究分析师，S1010524080019
• 何鑫圣：新材料产业研究分析师，S1010525080010

报告来源

本文节选自中信证券研究部2026年3月19日发布的《新材料行业半导体材料跟踪点评一三星计划罢工或致全球半导体供应紧张加剧，关注国内存储产业链核心供应商》报告。完整分析内容及相关风险提示请详见原报告。