> **来源：[研报客](https://pc.yanbaoke.cn)** # 东吴计算机：磷化铟有望成为AI算力时代的“光之基石”总结 ## 核心内容 磷化铟（InP）作为一种具有优异光电性能的第二代化合物半导体材料，正成为AI算力时代光通信、量子计算和卫星通信等领域的关键基础材料。其高电子迁移率（约为硅的4倍）和直接带隙特性，使其能够精准匹配光纤通信中损耗最低的1310nm和1550nm波长窗口，成为高速光芯片（如1.6T及CPO技术）不可替代的物理基础。 随着光模块从800G向1.6T甚至3.2T演进，磷化铟衬底的需求量呈倍数增长。同时，为了适配高速芯片的制造需求，衬底尺寸从2英寸向4-6英寸扩展，进一步推动了磷化铟产业链的技术升级与产能扩张。 ## 主要观点 - **磷化铟的光电性能优势**：其高电子迁移率和直接带隙特性使其成为光通信、量子计算等高技术领域的重要材料。 - **需求激增**：AI数据中心推动光模块需求扩张，带动磷化铟材料需求爆发增长，Yole预测2026年全球需求将达260万至300万片，而有效产能仅75万片左右，缺口仍超70%。 - **技术壁垒高**：磷化铟的生产涉及多晶合成、单晶生长等复杂工艺，且对高温高压环境控制要求极高，6英寸衬底制造更是技术分水岭。 - **国产替代加速**：云南锗业、先导科技、博杰股份等国内企业正通过技术突破与产能扩张，逐步打破日美企业的垄断地位，实现国产替代。 ## 关键信息 ### 产业链结构 磷化铟产业链分为三个主要环节： | 环节 | 主要内容 | 代表企业/产品 | |------|----------|----------------| | 上游原材料 & 设备 | 金属铟（In）与高纯红磷（P）；核心设备包括VGF/VB晶体炉、MOCVD设备 | 铟资源：锡业股份、先导科技；MOCVD设备：Aixtron、Veeco | | 中游衬底 & 外延片 | 磷化铟单晶衬底（2-6英寸）；外延片（MOCVD气相外延） | 海外：住友电工、AXT（北京通美）；国内：先导微电子、云南锗业（鑫耀半导体） | | 下游器件 & 应用 | 光通信（DFB激光器、EML调制器、PD探测器）；射频器件（5G/6G PA、LNA）；传感器件；量子计算基础器件 | 光：Coherent、Lumentum；国内：源杰科技、华为海思、中际旭创 | ### 产能与价格趋势 - 2025年全球磷化铟衬底总需求约200万至210万片，有效合规产能仅60万至70万片，供需缺口超70%。 - 2026年全球需求预计达260万至300万片，有效产能仅提升至75万片，缺口仍超70%。 - 2026年4月，2英寸磷化铟衬底价格从800美元/片涨至2300-2500美元/片，6英寸衬底从1400美元/片涨至5000美元/片，涨幅超过250%。 - 精铟价格同步上涨，截至2026年4月20日，精铟价格高达4450元/千克，较2025年初翻倍。 ### 国产厂商进展 - **云南锗业**：国内磷化铟衬底龙头，已实现6英寸衬底规模化量产，2025年销量同比增长73.77%，计划2027年前后达到年产45万片（折合4英寸）的规模。 - **先导科技**：构建垂直一体化产业链，覆盖从稀散金属提炼到终端光模块制造，具备年产24万片磷化铟衬底的产能，产品认证覆盖国内外大客户。 - **博杰股份**：通过参股磷化铟衬底厂商及布局精密划片设备，补足产业链短板。 ### 风险提示 - **良率爬坡不及预期**：6英寸产品良率提升是产能释放的关键。 - **扩产周期延误风险**：设备交付、产线建设、客户认证等环节均可能影响产能释放进度。 - **出口管制风险**：美国已将MOCVD设备列入两用物项清单，对华出口受阻。 - **原材料价格波动**：铟价大幅波动将直接影响衬底成本，需关注成本传导能力。 ## 相关标的 - **云南锗业**：国内磷化铟衬底龙头，已实现6英寸衬底量产。 - **博杰股份**：布局磷化铟衬底及精密加工设备，补足产业链环节。 - **先导科技**：构建从原料到终端的垂直一体化模式，覆盖全产业链。 ## 总结 磷化铟凭借其优异的光电性能，成为AI算力时代光通信、量子计算等领域的关键材料。随着光模块向1.6T及CPO演进，磷化铟需求激增，但其生产面临高技术壁垒与长周期挑战。国内企业正通过技术突破与产能扩张，加速国产替代进程，有望在未来的全球磷化铟市场中占据重要地位。