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东吴计算机：磷化铟有望成为AI算力时代的“光之基石”总结

核心内容

磷化铟（InP）作为一种具有优异光电性能的第二代化合物半导体材料，正成为AI算力时代光通信、量子计算和卫星通信等领域的关键基础材料。其高电子迁移率（约为硅的4倍）和直接带隙特性，使其能够精准匹配光纤通信中损耗最低的1310nm和1550nm波长窗口，成为高速光芯片（如1.6T及CPO技术）不可替代的物理基础。

随着光模块从800G向1.6T甚至3.2T演进，磷化铟衬底的需求量呈倍数增长。同时，为了适配高速芯片的制造需求，衬底尺寸从2英寸向4-6英寸扩展，进一步推动了磷化铟产业链的技术升级与产能扩张。

主要观点

• 磷化铟的光电性能优势：其高电子迁移率和直接带隙特性使其成为光通信、量子计算等高技术领域的重要材料。
• 需求激增：AI数据中心推动光模块需求扩张，带动磷化铟材料需求爆发增长，Yole预测2026年全球需求将达260万至300万片，而有效产能仅75万片左右，缺口仍超70%。
• 技术壁垒高：磷化铟的生产涉及多晶合成、单晶生长等复杂工艺，且对高温高压环境控制要求极高，6英寸衬底制造更是技术分水岭。
• 国产替代加速：云南锗业、先导科技、博杰股份等国内企业正通过技术突破与产能扩张，逐步打破日美企业的垄断地位，实现国产替代。

关键信息

产业链结构

磷化铟产业链分为三个主要环节：

环节	主要内容	代表企业/产品
上游原材料 & 设备	金属铟（In）与高纯红磷（P）；核心设备包括VGF/VB晶体炉、MOCVD设备	铟资源：锡业股份、先导科技；MOCVD设备：Aixtron、Veeco
中游衬底 & 外延片	磷化铟单晶衬底（2-6英寸）；外延片（MOCVD气相外延）	海外：住友电工、AXT（北京通美）；国内：先导微电子、云南锗业（鑫耀半导体）
下游器件 & 应用	光通信（DFB激光器、EML调制器、PD探测器）；射频器件（5G/6G PA、LNA）；传感器件；量子计算基础器件	光：Coherent、Lumentum；国内：源杰科技、华为海思、中际旭创

产能与价格趋势

• 2025年全球磷化铟衬底总需求约200万至210万片，有效合规产能仅60万至70万片，供需缺口超70%。
• 2026年全球需求预计达260万至300万片，有效产能仅提升至75万片，缺口仍超70%。
• 2026年4月，2英寸磷化铟衬底价格从800美元/片涨至2300-2500美元/片，6英寸衬底从1400美元/片涨至5000美元/片，涨幅超过250%。
• 精铟价格同步上涨，截至2026年4月20日，精铟价格高达4450元/千克，较2025年初翻倍。

国产厂商进展

• 云南锗业：国内磷化铟衬底龙头，已实现6英寸衬底规模化量产，2025年销量同比增长73.77%，计划2027年前后达到年产45万片（折合4英寸）的规模。
• 先导科技：构建垂直一体化产业链，覆盖从稀散金属提炼到终端光模块制造，具备年产24万片磷化铟衬底的产能，产品认证覆盖国内外大客户。
• 博杰股份：通过参股磷化铟衬底厂商及布局精密划片设备，补足产业链短板。

风险提示

• 良率爬坡不及预期：6英寸产品良率提升是产能释放的关键。
• 扩产周期延误风险：设备交付、产线建设、客户认证等环节均可能影响产能释放进度。
• 出口管制风险：美国已将MOCVD设备列入两用物项清单，对华出口受阻。
• 原材料价格波动：铟价大幅波动将直接影响衬底成本，需关注成本传导能力。

相关标的

• 云南锗业：国内磷化铟衬底龙头，已实现6英寸衬底量产。
• 博杰股份：布局磷化铟衬底及精密加工设备，补足产业链环节。
• 先导科技：构建从原料到终端的垂直一体化模式，覆盖全产业链。

总结

磷化铟凭借其优异的光电性能，成为AI算力时代光通信、量子计算等领域的关键材料。随着光模块向1.6T及CPO演进，磷化铟需求激增，但其生产面临高技术壁垒与长周期挑战。国内企业正通过技术突破与产能扩张，加速国产替代进程，有望在未来的全球磷化铟市场中占据重要地位。