20260506-国金证券-国金建材新材料李阳_玻璃基板行业深度_封装破局_玻璃为基_16页_2mb

报告摘要

玻璃基板作为一种新型封装材料，正逐步在半导体封装、CPO（光电共封装）及6G射频等领域展现其优势。随着先进封装需求的快速增长，玻璃基板的产业化进程加快，成为未来封装技术的重要方向。

先进封装需求增长：在后摩尔时代，芯片制程提升空间有限，先进封装成为提升系统性能的关键。预计2024年全球先进封装市场规模达460亿美元，2030年有望突破794亿美元，CAGR为9.5%。其中，2.5D/3D封装增长最快，预计2030年市场规模接近350亿美元。
玻璃基板优势明显：与传统有机载板相比，玻璃基板具有更接近硅的热膨胀系数（CTE），可有效减少封装翘曲问题；同时具备优异的电气绝缘性能，适合高频应用。其热导系数为1.2 W/(m·K)，介电常数低至4.5，表面平整度高，可支持高密度互连与精确对准。
封装方案演进：CoWoS封装方案因产能不足而面临挑战，CoPoS技术作为其升级版本，采用方形玻璃基板，面积利用率可达81%，单次产出相当于12英寸晶圆的4-8倍。此外，玻璃基板有望替代硅中介层，成为未来封装方案的重要组成部分。
CPO与6G应用前景：在CPO技术中，玻璃基板可作为集成光波导和TGV（玻璃通孔）的载体，实现更高互连密度与更低传输损耗。6G通信对高频、低损耗性能要求更高，玻璃基板凭借低介电损耗与优异的尺寸稳定性，成为6G射频组件的理想材料。

玻璃基板性能参数：
- 热膨胀系数（CTE）：3.3×10⁻⁶/°C
- 介电常数（Dk）：≤4.5
- 热导系数：1.2 W/(m·K)
- 热稳定性：退火点≥550℃，应变点≥520℃
- 机械性能：弯曲模量高，密度≤2.5 g/cm³
TGV成孔技术：
- 主流技术为激光诱导刻蚀（LIDE），具有高深径比（＞50:1）与无损加工优势。
- 技术难点包括激光改性精度不足与化学刻蚀液调配不均，影响通孔质量与后续金属填充可靠性。
TGV填充工艺：
- 金属化与电镀是关键环节，采用化学镀工艺以实现无空洞、无缝隙的铜填充。
- 布线（RDL）采用半加成法，形成超薄铜层并进行高分辨率光刻与差异化刻蚀，提升器件性能。