20260414-中信证券-存储_从扩产瓶颈看存储景气持续性_4页_186kb

存储行业扩产瓶颈分析总结

核心内容

当前存储行业面临主客观双重约束，导致2026年有效产能释放受限，预计新产能实质释放需待2027年底至2028年，且过程中供给增速上修空间有限。随着Agent AI时代的到来，存力成为核心，行业迎来长周期范式转移，AI驱动的需求爆发与原厂扩产错位，导致缺货常态化，预计供不应求至少持续至2027年，涨价贯穿2026全年。我们坚定看好存储产业趋势，认为行业有望维持高景气，原厂及相关存储设计公司有望更长时间维持高盈利。

主要观点

1. 存储原厂扩产受限

• 主观意愿不足：经历2023年深度下行后，原厂对扩产更加谨慎，强调投资纪律与供需平衡，不愿在需求上行初期重演“价格一涨即激进扩产”的周期波动。
• Capex上修滞后：原厂Capex上修主要用于2027年后的长期基建，新增产能释放时点显著滞后。
• 2026年产能增长有限：美光预计DRAM全年出货容量增加约20%-23%，NAND增加约20%；Trendforce预测分别为20.2%和19.5%。

2. 客观瓶颈分析

(1) 洁净室建设周期长

• 洁净室是先进制造的核心物理平台，直接影响新增晶圆产能。
• Greenfield建设周期通常为2.5~4年，Brownfield改造周期为1.5~2.5年。
• HBM工艺复杂度增加，导致对高等级洁净室的需求成倍增长，加剧了行业内的洁净室紧张。
• 2023年原厂大幅削减Capex，2024-2025年新增面积极为有限，进一步压制了扩产斜率。

(2) 核心设备结构性紧缺与交期延长

• HBM后道封装：HBM3相比HBM2E，单芯片TSV数量从5000-6000个增至上万个，刻蚀与电镀工序耗时翻倍，测试周期延长至标准DRAM的3-5倍。
• EUV光刻机：制程向1γ节点演进，EUV光刻层数从1α节点的1-2层增至5-7层，同等产能下EUV机台需求量激增3-4倍。
• 设备交期：ASML EUV设备交期延长至18~24个月，且未交付订单积压高达388亿欧元，存储客户占比从32%升至40%。
• HBM电容互连刻蚀设备：因高深宽比刻蚀需求增长，其POR认证与产能爬坡周期也被拉长。

(3) HBM的“产能吞噬效应”

• HBM因TSV物理面积占用、多层3D堆叠导致复合良率陡降，生产等量容量的晶圆消耗量是标准DRAM的2.5-3倍。
• 传统制程缩进遭遇物理墙，DRAM进入10nm级别后，电容高宽比逼近极限，EUV设备引入导致单位资本开支边际收益递减。
• 3D NAND迈向300+层后面临极高宽比刻蚀挑战，被迫采用多层堆叠架构，导致薄膜沉积与生产周期倍增。

关键信息

• 2026年产能增长受限：全年新增产能有限，供不应求持续，涨价贯穿全年。
• 2027-2028年产能释放：新产能实质释放预计在2027年底至2028年，且增速有限。
• 行业趋势看好：AI驱动需求增长，存储产业有望维持高景气，原厂及设计公司盈利空间较大。
• 风险因素：
  • 全球宏观经济低迷；
  • 云厂商资本支出不及预期；
  • AI应用落地速度不及预期；
  • 企业核心技术与产品研发进展不及预期；
  • 行业竞争加剧。

投资策略

• 核心推荐：存储原厂及贴近原厂的设计公司。
• 关注点：存储模组公司，短期业绩爆发能力强。
• 长期逻辑：AI时代存力为核心，供需错配将支撑价格长期韧性。

附注

• 本总结节选自《电子行业存储系列报告2—从扩产瓶颈看存储景气持续性》。
• 报告发布日期：2026年4月12日。
• 本资料仅面向中信证券客户中的金融机构专业投资者，未经授权不得转发。
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