20201118-华泰证券-集成电路产业系列报告之三_中国半导体光刻胶迎时代新机遇_24页_2mb

中国半导体光刻胶行业研究报告总结

核心内容概览

本报告分析了全球及中国半导体光刻胶行业的发展现状与未来机遇，重点指出半导体光刻胶作为光刻工艺的核心材料，其技术壁垒高、市场集中度高，目前主要由美日企业主导。随着中国成为全球最大电子产业和半导体消费市场，以及国家政策支持和集成电路大基金的推动，国产半导体光刻胶迎来前所未有的发展机遇。

主要观点

• 光刻胶的重要性：光刻胶是光刻工艺的核心材料，决定图形工艺的精密程度和良率，是半导体制造中不可或缺的组成部分。
• 技术与市场壁垒：由于高技术壁垒和客户壁垒，全球半导体光刻胶市场高度集中，主要由日本和美国企业占据主导地位。
• 中国自给率低：国内在高端半导体光刻胶领域（如ArF光刻胶）自给率严重不足，完全依赖进口，提升国产化率成为当务之急。
• 产业转移带来的机遇：中国成为全球最大的半导体市场，晶圆制造产能持续扩张，为国产光刻胶提供了广阔的市场空间。
• 政策支持与大基金助力：国家出台多项政策支持光刻胶产业发展，大基金二期重点支持材料和设备，推动国产替代进程。
• 产业链发展迅速：国内主要光刻胶企业正加快研发和量产步伐，逐步缩小与国外先进水平的差距。

关键信息

全球市场现状

• 全球半导体光刻胶市场由美日企业主导，其中日本企业在高端领域占据明显优势。
• 2019年全球KrF和ArF光刻胶市场分别由日本企业占据74%和83%的市场份额。
• 日本企业如TOK、JSR、信越化学、住友化学等在光刻胶领域占据主导地位。

中国市场发展

• 2019年中国集成电路产业销售额达到7562亿元，同比增长16%。
• 2020年中国集成电路产业销售额达到3639亿元，同比增长16.1%。
• 中国晶圆制造产能持续扩张，预计到2020年每月达到400万片，2022年半导体光刻胶市场规模预计接近55亿元。

技术发展与需求增长

• 器件尺寸随摩尔定律缩小，光刻胶技术不断革新，多重曝光技术成为提升光刻胶用量的关键手段。
• NAND Flash从2D向3D架构转变，堆叠层数增加，带动光刻胶需求增长。
• EUV光刻胶成为最先进制程的必备材料，目前主要由日本企业实现量产。

国内主要企业进展

• 北京科华：已实现g-line/i-line、KrF光刻胶量产，EUV光刻胶通过02专项验收。
• 晶瑞股份：g-line/i-line光刻胶已量产，KrF光刻胶完成中试，计划采购ASML ArF浸入式光刻机用于研发28nm高端光刻胶。
• 南大光电：承担国家02专项，投资建设ArF光刻胶生产线，计划2023年前实现产业化。
• 上海新阳：主攻KrF和干法ArF光刻胶，已进入产能建设阶段，计划2023年前实现ArF干法和KrF厚膜光刻胶的产业化。

风险提示

• 中美贸易摩擦加剧，可能对光刻胶供应链带来不确定性。
• 国产技术突破不及预期，可能影响国产替代进程。

图表与数据

• 图表1-3：展示光刻胶的工艺流程、原料组成和成本构成。
• 图表4-14：涵盖光刻胶技术参数、分类、产业链结构、市场格局及项目进展。
• 图表19-27：显示全球和中国光刻胶市场结构与份额。
• 图表30-34：展示中国集成电路产业规模、光刻胶市场增长及国内重点企业项目进展。

结论

中国半导体光刻胶产业正处于快速发展的关键阶段，随着晶圆制造产能的扩张、政策支持的加强和大基金的推动，国产光刻胶有望实现突破，逐步替代进口产品，为半导体产业安全和自主可控提供坚实保障。