> **来源：[研报客](https://pc.yanbaoke.cn)** # 中小盘：新质策略系列之碳化硅总结 ## 核心内容 碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料之一，因其高禁带宽度、高热导率、高击穿电场等特性，成为新能源革命与AI算力升级的重要支撑材料。其产业链涵盖上游衬底与外延、中游器件与模块、下游应用三大环节，其中衬底环节技术壁垒高，占制造成本的47%。随着行业供需格局的改善，碳化硅市场正进入量价齐升的上行周期。 ## 主要观点 ### 1. 行业供需格局改善，景气度上行 - **市场出清**：2025年市场出清后，供需格局显著改善。 - **价格回升**：2026年4月以来，碳化硅衬底价格出现较大幅度反弹，8英寸产品同步止跌企稳。 - **产能集中**：中小产能持续出清，有效供给向头部企业集中，头部厂商产能利用率超90%。 - **需求增长**：传统赛道需求稳步增长，新兴场景如AI数据中心、AI眼镜光波导等需求加速释放。 ### 2. AI算力驱动需求结构升级 - **AI数据中心成为增长极**：随着大模型算力需求提升，AI芯片功耗攀升，推动800V高压直流供电架构普及，碳化硅成为关键器件。 - **多场景替代**：碳化硅凭借高效率、高频、高温与高功率密度特性，逐步替代传统硅基器件，应用场景持续拓展。 ### 3. 大尺寸衬底推动降本增效 - **尺寸升级**：8英寸衬底单片产出量约为6英寸的2倍，推动全产业链降本。 - **技术突破**：国内头部厂商已实现8英寸衬底量产，并推进12英寸技术攻关。 - **产业链生态**：国内已形成从材料到器件的8英寸技术生态，全球产业话语权逐步提升。 ## 关键信息 ### 市场规模预测 - 2025年全球碳化硅功率器件市场销售额达406.91亿元。 - 2026-2032年CAGR为20.5%，预计2032年市场规模达1479.68亿元。 ### 行业竞争格局 - **海外主导**：意法半导体、英飞凌等海外巨头仍主导市场。 - **国产替代加速**：国内企业在衬底制造、器件设计、模块封装等领域实现技术突破，国产化率稳步提升。 ### 投资标的推荐 - **士兰微**：国内综合型半导体IDM厂商，6英寸SiC产线已量产，8英寸产线2025年四季度通线，产品应用于AI算力中心电源。 - **新洁能**：国内功率半导体核心厂商，SiC MOS产品覆盖650V至1700V电压段，第三代产品处于可靠性验证阶段。 - **天岳先进**：全球宽禁带半导体材料龙头，2025年导电型SiC衬底全球市占率27.6%，已实现8英寸量产，并推进12英寸技术。 ## 风险提示 - 技术迭代不及预期 - 国产替代进度不及预期 - 下游需求波动 - 供给超预期释放 - 原材料价格波动 ## 投资建议 当前碳化硅行业处于景气度上行、需求扩容、国产替代加速的多重红利期，具备技术壁垒、产能先发优势与头部客户资源的企业将持续扩大市场份额。建议关注士兰微、新洁能、天岳先进等优质标的，把握行业成长机遇。 ## 行业发展趋势 - **技术升级**：大尺寸衬底推动降本增效，行业进入技术壁垒抬高的阶段。 - **应用拓展**：从新能源向AI数据中心、光波导等新兴领域延伸。 - **国产替代**：国内厂商在衬底制造、器件设计等领域实现技术突破，全球话语权逐步提升。