20260626-国盛证券有限责任公司-新质策略系列之碳化硅_AI赋能打开成长空间_供需共振开启量价齐升_6页_499kb

中小盘：新质策略系列之碳化硅总结

核心内容

碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料之一，因其高禁带宽度、高热导率、高击穿电场等特性，成为新能源革命与AI算力升级的重要支撑材料。其产业链涵盖上游衬底与外延、中游器件与模块、下游应用三大环节，其中衬底环节技术壁垒高，占制造成本的47%。随着行业供需格局的改善，碳化硅市场正进入量价齐升的上行周期。

主要观点

1. 行业供需格局改善，景气度上行

• 市场出清：2025年市场出清后，供需格局显著改善。
• 价格回升：2026年4月以来，碳化硅衬底价格出现较大幅度反弹，8英寸产品同步止跌企稳。
• 产能集中：中小产能持续出清，有效供给向头部企业集中，头部厂商产能利用率超90%。
• 需求增长：传统赛道需求稳步增长，新兴场景如AI数据中心、AI眼镜光波导等需求加速释放。

2. AI算力驱动需求结构升级

• AI数据中心成为增长极：随着大模型算力需求提升，AI芯片功耗攀升，推动800V高压直流供电架构普及，碳化硅成为关键器件。
• 多场景替代：碳化硅凭借高效率、高频、高温与高功率密度特性，逐步替代传统硅基器件，应用场景持续拓展。

3. 大尺寸衬底推动降本增效

• 尺寸升级：8英寸衬底单片产出量约为6英寸的2倍，推动全产业链降本。
• 技术突破：国内头部厂商已实现8英寸衬底量产，并推进12英寸技术攻关。
• 产业链生态：国内已形成从材料到器件的8英寸技术生态，全球产业话语权逐步提升。

关键信息

市场规模预测

• 2025年全球碳化硅功率器件市场销售额达406.91亿元。
• 2026-2032年CAGR为20.5%，预计2032年市场规模达1479.68亿元。

行业竞争格局

• 海外主导：意法半导体、英飞凌等海外巨头仍主导市场。
• 国产替代加速：国内企业在衬底制造、器件设计、模块封装等领域实现技术突破，国产化率稳步提升。

投资标的推荐

• 士兰微：国内综合型半导体IDM厂商，6英寸SiC产线已量产，8英寸产线2025年四季度通线，产品应用于AI算力中心电源。
• 新洁能：国内功率半导体核心厂商，SiC MOS产品覆盖650V至1700V电压段，第三代产品处于可靠性验证阶段。
• 天岳先进：全球宽禁带半导体材料龙头，2025年导电型SiC衬底全球市占率27.6%，已实现8英寸量产，并推进12英寸技术。

风险提示

• 技术迭代不及预期
• 国产替代进度不及预期
• 下游需求波动
• 供给超预期释放
• 原材料价格波动

投资建议

当前碳化硅行业处于景气度上行、需求扩容、国产替代加速的多重红利期，具备技术壁垒、产能先发优势与头部客户资源的企业将持续扩大市场份额。建议关注士兰微、新洁能、天岳先进等优质标的，把握行业成长机遇。

行业发展趋势

• 技术升级：大尺寸衬底推动降本增效，行业进入技术壁垒抬高的阶段。
• 应用拓展：从新能源向AI数据中心、光波导等新兴领域延伸。
• 国产替代：国内厂商在衬底制造、器件设计等领域实现技术突破，全球话语权逐步提升。