> **来源：[研报客](https://pc.yanbaoke.cn)** # 电力设备与新能源行业研究总结 ## 核心内容概览 本报告聚焦于**三次电源**在AI芯片功率跃升背景下的价值重估与架构升级，分析其在AI服务器中的技术演进、产业链影响及重点公司布局。 --- ## 主要观点 ### 1. AI芯片功率跃升驱动三次电源升级 - **需求驱动**：AI芯片功率从A100的400W提升至B300的1400W，五年内提升逾2.5倍；液冷导入进一步提升单机柜GPU部署数量和功率密度。 - **供电瓶颈**：低压大电流成为核心矛盾，导致 $\mathrm{I}^2\mathrm{R}$ 损耗呈平方级放大，对供电稳定性、瞬态响应和效率提出更高要求。 - **升级方向**：从分立式多相Buck向模块化、垂直供电、封装级集成等方向演进，以应对大电流、高瞬态、小空间、高效率的四重约束。 ### 2. 技术演进路径清晰 - **短期**：多相Buck+DrMOS仍是主流，但供电相数、单相电流能力、控制精度等不断提升。 - **中期**：TLVR、模块化POL、VPD等方案加速导入，改善瞬态响应、降低PDN损耗、释放空间。 - **长期**：IVR、封装级电源和背面供电将成为趋势，与先进封装、Chiplet、HBM协同，推动供电向芯片内部迁移。 ### 3. 产业链驱动量价齐升 - **DrMOS**：需求由50A向80A/90A演进，全球格局高度集中，海外厂商占85%份额，国内厂商加速追赶。 - **电感**：高频化与小型化推动材料与工艺升级，台系与大陆厂商具备竞争力。 - **电容**：MLCC用量提升13倍，高端产品供给紧张，硅电容作为近芯补充，分层应用。 - **PCB**：高功率密度需求推动厚铜、高Tg材料及嵌入式电感/电容技术发展，提升散热与集成度。 ### 4. 竞争格局与重点公司 - **海外龙头**：英飞凌、MPS、Vicor、台达、伟创力、村田等在多相控制器、DrMOS、模块化电源、MLCC等环节占据主导地位。 - **国内厂商**：杰华特、铂科新材、龙磁科技、深南电路、中富电路等在DrMOS、芯片电感、PCB等方向加速布局。 --- ## 关键信息 ### 技术演进 - **多相Buck**：主流架构，具备纹波抑制、动态响应、轻载效率优化等优势。 - **TLVR**：通过跨相磁耦合提升瞬态响应，但面临磁件一致性、控制策略等技术挑战。 - **VPD**：垂直供电，缩短路径，降低PDN损耗，适用于大电流场景。 - **IVR**：未来趋势，将供电模块集成至芯片内部，进一步提升效率与稳定性。 ### 产业链影响 - **DrMOS**：用量与规格提升，推动量价齐升。 - **电感**：从传统铁氧体向金属软磁材料升级，高频化与小型化成为趋势。 - **电容**：MLCC用量显著增加，硅电容作为补充，提升近芯供电稳定性。 - **PCB**：嵌入式电感/电容、高多层结构、3D封装等技术推动高功率密度与高集成度。 ### 投资建议 - **推荐标的**：中富电路、铂科新材、深南电路、杰华特、三环集团等。 - **方向**：PCB/电感核心标的、DrMOS/MLCC国产替代方向。 --- ## 风险提示 - 资本开支不及预期 - 芯片功率提升不及预期 - 技术路线变更 - 客户认证和订单放量不及预期 --- ## 重点公司梳理 | 公司 | 核心业务 | 技术优势 | 布局方向 | |------|----------|----------|----------| | 英飞凌 | 多相控制器、DrMOS、VRM模块 | 全球功率半导体龙头，Grid-to-Core全链路布局 | VPD、TLVR、高集成模块 | | MPS | 多相控制器、DrMOS、电源模块 | 高集成POL、Z轴供电架构 | 高密度模块、近芯片供电 | | 台达 | 电源系统解决方案、DC/DC转换器 | 全链路供电方案、与英飞凌合作 | VPD、VRM、高功率密度 | | 伟创力 | 电源模块、系统级解决方案 | Grid-to-Chip架构、与瑞萨合作 | VPD、VRM、高密度模块 | | Vicor | 分比式电源架构（FPA）、模块化方案 | 降低PDN电阻、提高功率密度 | 横向/垂直供电、专利壁垒 | | 村田 | MLCC、电感、被动元件 | 全球MLCC龙头，高容小型化 | AI服务器MLCC、硅电容 | | 杰华特 | DrMOS、多相控制器 | 高端量产突破、智能功率级 | AI服务器供电、高电流 | | 铂科新材 | 芯片电感、高密度电感 | 金属软磁、铜铁共烧 | VPD、TLVR、AI服务器 | | 龙磁科技 | 芯片电感、磁性材料 | 磁性材料积累、电感研发 | AI服务器电感、高端产品 | | 深南电路 | PCB、高密度封装 | 埋嵌技术、高集成度 | 三次电源模块、高功率PCB | | 中富电路 | 电源PCB、高密度板 | 高集成度、高功率 | 三次电源PCB、AI服务器 | --- ## 技术趋势与未来展望 - **三次电源演进**：从板级供电向模块化、垂直供电、封装级集成演进，提升效率与稳定性。 - **AI供电架构**：从48V/12V逐步向800VDC、高集成度方向发展，减少转换级数。 - **材料与工艺**：金属软磁、一体成型、铜铁共烧等技术提升电感性能；MLCC与硅电容分层应用，提升电容性能。 - **PCB技术**：厚铜、高Tg基材、嵌入式电感/电容、HDI、3D结构等推动高功率密度与高集成度。 --- ## 总结 AI芯片功率跃升推动三次电源进入系统性升级周期，核心方向包括模块化、垂直供电与封装级集成。技术演进路径清晰，从多相Buck向TLVR、VPD等高集成方案演进，提升瞬态响应、降低PDN损耗、优化空间利用。产业链中，DrMOS、电感、电容及PCB等核心元器件面临量价齐升趋势，海外厂商仍占据主导地位，但国内厂商加速追赶。建议关注具备技术储备与供应链优势的PCB、电感及DrMOS厂商，如中富电路、铂科新材、深南电路、杰华特等。风险包括技术路线变化、客户认证延迟及资本开支不及预期。