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通信行业总结：AI推动激光器芯片量价齐升，关注国产新机遇

核心内容

随着AI计算集群从“堆算力”向“拼网络效率”转变，高性能、高带宽、低延迟的网络成为数据中心性能提升的关键。激光器芯片作为光模块的核心器件，直接影响光模块的电光转换效率和产品代际，因此在AI驱动的高速通信需求下，激光器芯片行业迎来了显著增长机遇。

主要观点

• 激光器芯片是光模块核心价值组成：主要分为VCSEL、EML和硅光方案，其中VCSEL适用于100G及以下速率场景，而EML和硅光方案则适用于400G/800G及以上高速场景。
• 技术代际推动市场价值量上升：在100G及以下时代，VCSEL因低功耗、低成本占据主导；进入400G/800G时代，EML凭借高带宽与低啁啾成为主流方案。进入1.6T时代，硅光方案因集成度高、封装复杂度和功耗降低，成为市场主流，CW激光器作为其下的必选项，战略价值显著提升。
• AI驱动市场快速增长：AI大模型训练与推理需求激增，推动光模块需求膨胀，单卡光模块配比从1:2.5提升至1:5甚至1:12，激光器芯片需求大幅增长。
• 供给端存在产能瓶颈：激光器芯片扩产周期长（18-24个月），核心MOCVD设备由美德厂商垄断，短期内产能刚性明显，头部厂商已锁定至2027年产能，部分订单能见度甚至延伸至2028年。
• 市场格局尚未固化，国产厂商迎来机遇：当前全球高速EML芯片市场由美日企业主导，集中度达70%。而硅光方案加速渗透，为CW激光器市场带来新的格局变化，国内厂商有望凭借技术进步和成本优势抢占市场份额。

关键信息

市场规模预测

• 2025年：高速激光器芯片（100G及以上）市场规模为9.3亿美元。
• 2026年：预计增长至40.6亿美元，同比增长约338%。
• 2027年：进一步扩张至约71.0亿美元，两年累计增长超7倍。

供给缺口

• 200G EML：供给缺口高达20%。
• 400mW CW激光器：供给缺口达17%。

国内厂商进展

• 国内厂商已实现70mW、100mW CW激光器的量产。
• 部分厂商推出300mW大功率产品，推动北美云厂商客户认证。
• 国内厂商在制造工艺、良率和产能方面具备快速追赶潜力。

风险因素

• AI发展不及预期。
• 云厂商资本开支不及预期。
• 单通道400G等新产品进展不及预期。
• 技术路径风险。
• 地缘政治风险。

投资策略

• 关注AI计算集群的网络效率需求：随着集群规模扩大，光互联技术将受益于Scale-out超节点需求和对铜互联场景的渗透，迎来爆发式增长。
• 激光器芯片量价齐升趋势明确：在向200G、1.6T技术迭代过程中，激光器芯片将面临量增价稳甚至提价的机遇。
• 重视头部厂商优势：市场呈现“强认证、长周期、弱替换”的格局，终端云厂商对研发能力、产能供给及生态设计能力要求较高，头部厂商优势凸显。
• 看好国产激光器芯片龙头公司：国内厂商在CW激光器领域具备快速追赶潜力，有望在市场格局未固化阶段实现份额抢占。

作者信息

• 李赫然：中信证券通信行业首席分析师（S1010524120005）
• 魏鹏程：中信证券通信分析师（S1010522090007）

联系方式

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免责声明

本文节选自中信证券研究部于2026年4月17日发布的《通信行业景气度盘点专题—AI推动激光器芯片量价齐升，关注国产新机遇》报告。具体分析内容（包括相关风险提示等）请详见报告。若因对报告的摘编而产生歧义，应以报告发布当日的完整内容为准。