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光芯片价值量加速跃迁，供给刚性缺口有望持续

核心内容概述

本报告分析了光芯片行业的发展趋势，指出随着光模块速率的提升，光芯片的价值量占比显著增加，并成为光通信产业链中技术壁垒最高、增长潜力最大的环节。同时，报告关注了InP衬底材料的供需矛盾以及薄膜铌酸锂（TFLN）作为新一代高速光芯片方案的崛起。

主要观点

1. 光芯片价值量占比加速跃迁，激光器芯片市场快速增长

• 光芯片是光模块中实现光电双向转换的核心组件，其技术壁垒高，价值占比大。
• 在800G/1.6T超高速光模块中，光芯片成本占比超过50%。
• 激光器芯片是光模块中关键光源，直接影响传输质量和系统性能。
• 全球激光器芯片市场规模预计从2024年的26亿美元增长至2030年的229亿美元（CAGR 44.1%），其中数据中心市场贡献核心增量。
• 2024年，EML与CW激光器芯片合计市场规模达9.7亿美元，市场占比约38.1%；预计到2030年，合计收入将达208.0亿美元，CAGR达66.6%，市场占比将达90.9%。

2. InP衬底供给刚性导致材料涨价，上游扩产验证供需缺口

• 激光器芯片主要采用InP和GaAs衬底材料，其中InP价格持续上涨。
• 2024年3月，Nvidia向Coherent和Lumentum各投资20亿美元，并签订多年产能与供货协议，显示对InP材料的重视。
• 云南锗业宣布扩建磷化铟单晶片产线，预计达产后年产能为45万片（折合4英寸）。
• AXT完成5.5亿美元公开发行，用于扩大磷化铟衬底产能，进一步表明行业对InP材料的需求持续上升。

3. InP调制器触及200G单波物理极限，TFLN成为替代方案

• 随着AI算力需求的增长，单波速率超过200G后，InP材料面临“非线性效应”和“功耗墙”的瓶颈。
• 薄膜铌酸锂（TFLN）作为新一代高速光芯片方案，具有更高的电光效率和更低的功耗（仅为传统方案的1/10）。
• TFLN在光模块单通道速率超过200G的应用中，有望成为主流选择，推动行业向更高性能发展。

关键信息

• 光芯片在光模块中价值占比持续提升，尤其在超高速光模块中占比超过50%。
• 激光器芯片是光通信系统的核心，EML与CW将主导未来市场。
• InP衬底材料因供给刚性，价格持续上涨，上游企业加速扩产以缓解供需矛盾。
• TFLN作为新一代高速光芯片方案，因其低功耗和高带宽特性，成为替代InP的优选技术。

投资建议与风险提示

投资建议

• 随着光芯片价值量占比的提升，激光器芯片市场将迎来黄金增长期。
• TFLN技术的成熟和应用将为光芯片行业带来新的增长点。
• 数据中心和AI算力需求的持续增长将推动光芯片行业向更高性能、更高效方向发展。

风险提示

• AIGC应用推广不及预期。
• 国内外政策和技术摩擦的不确定性。
• 算力行业竞争加剧。

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研究团队介绍

• 赵良毕：通信&中小盘团队负责人、科技组组长，具有丰富的通信行业研究经验。
• 王思成：覆盖设备侧产业链，具备经济学硕士背景。
• 洪烨：重点挖掘中小市值标的，兼顾通信设备侧产业链，财务学硕士。
• 赵中兴：覆盖应用侧产业链，理学与工学双学位背景。
• 刘璐：主要从事通信行业研究，金融工程与数学背景。
• 杨雨晴：分析师助理，管理学硕士，北京理工大学管理学学士。

评级体系

• 推荐：相对基准指数涨幅10%以上。
• 中性：相对基准指数涨幅在-5%~10%之间。
• 回避：相对基准指数跌幅5%以上。

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