> **来源：[研报客](https://pc.yanbaoke.cn)** # 光芯片价值量加速跃迁，供给刚性缺口有望持续 ## 核心内容概述 本报告分析了光芯片行业的发展趋势，指出随着光模块速率的提升，光芯片的价值量占比显著增加，并成为光通信产业链中技术壁垒最高、增长潜力最大的环节。同时，报告关注了InP衬底材料的供需矛盾以及薄膜铌酸锂（TFLN）作为新一代高速光芯片方案的崛起。 ## 主要观点 ### 1. 光芯片价值量占比加速跃迁，激光器芯片市场快速增长 - 光芯片是光模块中实现光电双向转换的核心组件，其技术壁垒高，价值占比大。 - 在800G/1.6T超高速光模块中，光芯片成本占比超过50%。 - 激光器芯片是光模块中关键光源，直接影响传输质量和系统性能。 - 全球激光器芯片市场规模预计从2024年的26亿美元增长至2030年的229亿美元（CAGR 44.1%），其中数据中心市场贡献核心增量。 - 2024年，EML与CW激光器芯片合计市场规模达9.7亿美元，市场占比约38.1%；预计到2030年，合计收入将达208.0亿美元，CAGR达66.6%，市场占比将达90.9%。 ### 2. InP衬底供给刚性导致材料涨价，上游扩产验证供需缺口 - 激光器芯片主要采用InP和GaAs衬底材料，其中InP价格持续上涨。 - 2024年3月，Nvidia向Coherent和Lumentum各投资20亿美元，并签订多年产能与供货协议，显示对InP材料的重视。 - 云南锗业宣布扩建磷化铟单晶片产线，预计达产后年产能为45万片（折合4英寸）。 - AXT完成5.5亿美元公开发行，用于扩大磷化铟衬底产能，进一步表明行业对InP材料的需求持续上升。 ### 3. InP调制器触及200G单波物理极限，TFLN成为替代方案 - 随着AI算力需求的增长，单波速率超过200G后，InP材料面临“非线性效应”和“功耗墙”的瓶颈。 - 薄膜铌酸锂（TFLN）作为新一代高速光芯片方案，具有更高的电光效率和更低的功耗（仅为传统方案的1/10）。 - TFLN在光模块单通道速率超过200G的应用中，有望成为主流选择，推动行业向更高性能发展。 ## 关键信息 - 光芯片在光模块中价值占比持续提升，尤其在超高速光模块中占比超过50%。 - 激光器芯片是光通信系统的核心，EML与CW将主导未来市场。 - InP衬底材料因供给刚性，价格持续上涨，上游企业加速扩产以缓解供需矛盾。 - TFLN作为新一代高速光芯片方案，因其低功耗和高带宽特性，成为替代InP的优选技术。 ## 投资建议与风险提示 ### 投资建议 - 随着光芯片价值量占比的提升，激光器芯片市场将迎来黄金增长期。 - TFLN技术的成熟和应用将为光芯片行业带来新的增长点。 - 数据中心和AI算力需求的持续增长将推动光芯片行业向更高性能、更高效方向发展。 ### 风险提示 - AIGC应用推广不及预期。 - 国内外政策和技术摩擦的不确定性。 - 算力行业竞争加剧。 ## CGS相关报告 - 【银河通信赵良毕】行业点评|政治局会议再提算力，打开产业链成长空间 - 【银河通信赵良毕】行业周报|工信部推进算力发展，6G大会定技术共识 ## 研究团队介绍 - **赵良毕**：通信&中小盘团队负责人、科技组组长，具有丰富的通信行业研究经验。 - **王思成**：覆盖设备侧产业链，具备经济学硕士背景。 - **洪烨**：重点挖掘中小市值标的，兼顾通信设备侧产业链，财务学硕士。 - **赵中兴**：覆盖应用侧产业链，理学与工学双学位背景。 - **刘璐**：主要从事通信行业研究，金融工程与数学背景。 - **杨雨晴**：分析师助理，管理学硕士，北京理工大学管理学学士。 ## 评级体系 - **推荐**：相对基准指数涨幅10%以上。 - **中性**：相对基准指数涨幅在-5%~10%之间。 - **回避**：相对基准指数跌幅5%以上。 如需获取报告全文，请联系您的客户经理，谢谢！