20260630-交银国际证券-单价趋势或更高更久;上调目标价_8页_394kb
报告摘要
SK 海力士 (000660 KR) 总结
核心内容
SK 海力士作为全球领先的存储芯片制造商,其在DRAM和NAND领域的表现受到人工智能数据中心需求增长的推动。公司正加速扩产计划,以应对不断上升的市场需求。同时,公司通过提升产品技术(如HBM)和扩展生产设施,增强其在存储器市场的竞争力。
主要观点
- 价格趋势:预计DRAM和NAND价格将持续上涨,特别是由于AI数据中心对存储器需求的结构性增长,价格高位维持时间或超过预期。美光近期披露的长协情况表明,存储器价格波动可能减少。
- 扩产计划:SK 海力士的扩产速度加快,特别是DRAM和NAND产能提升。公司预计2030年DRAM产能达到100万片每月,NAND产能达到25.5万片每月。新工厂建设将有助于实现更高的产能目标。
- 目标价上调:基于扩产和价格趋势,公司目标价从265万韩元上调至350万韩元,潜在涨幅为32.1%。
- 财务预测:公司未来三年收入和净利润预计大幅增长,其中2026年收入为369,920十亿韩元,净利润为237,292十亿韩元。毛利率和净利率也有望提升,达到84.8%和64.1%。
- HBM技术优势:SK 海力士在HBM封装技术上保持优势,尤其在散热性能和良率方面优于三星电子。公司预计在2026/27/28年HBM市场份额分别为58%/57%/56%。
- 市场流动性:公司在美国上市的ADR有助于提高股票流动性,拓宽投资者群体。
关键信息
个股评级
- 评级:买入
- 目标价:350万韩元
- 潜在涨幅:32.1%
财务预测(2024-2028E)
| 年份 | 收入(十亿韩元) | 同比增长(%) | 净利润(十亿韩元) | 同比增长(%) | 每股盈利(韩元) | 同比增长(%) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2024 | 66,193 | -316.9 | 19,789 | -316.9 | 28,732 | -316.9 |
| 2025 | 97,147 | 116.1 | 42,945 | 116.1 | 62,093 | 116.1 |
| 2026E | 369,920 | 442.1 | 237,292 | 442.1 | 336,585 | 24.2 |
| 2027E | 578,469 | 56.4 | 371,758 | 56.7 | 527,317 | 46.5 |
| 2028E | 654,548 | 13.2 | 414,443 | 11.5 | 587,863 | 21.8 |
财务比率
| 指标 | 2024 | 2025 | 2026E | 2027E | 2028E |
|---|---|---|---|---|---|
| 毛利率 | 48.1% | 60.4% | 84.8% | 86.8% | 85.7% |
| 净利率 | 29.9% | 44.2% | 64.1% | 64.3% | 63.3% |
| ROA | 18.0% | 29.0% | 81.4% | 63.2% | 42.6% |
| ROE | 31.1% | 44.2% | 100.7% | 70.1% | 45.5% |
股票信息
- 收盘价:265万韩元
- 52周高位:291.9万韩元
- 52周低位:24.5万韩元
- 市值:187.7亿韩元
- 日均成交量:4.94百万
- 年初至今变化:307.07%
产能与投资预测
- DRAM产能:2026年预计为57.5万片每月,2027年为65.5万片每月,2028年为74万片每月。
- NAND产能:2026年预计为21万片每月,2027年为23万片每月,2028年为25.5万片每月。
- 资本开支:2026年预计为50.9万亿韩元,2027年为85.1万亿韩元,2028年为100.8万亿韩元。
市场竞争与技术发展
- HBM技术:SK 海力士的Advanced MR-MUF技术在散热性能和良率上优于三星电子的TC-NCF技术。
- 技术路线:SK 海力士将适时推进混合键合技术,以保持其在HBM市场的竞争力。
- 市场策略:公司正在改变NAND产能扩张策略,积极引入新厂房,以应对市场需求。
风险提示
- 股价波动:尽管长期看好存储行业,但提醒投资者注意市场行为可能带来的股价波动。
- 行业周期性:行业周期性减弱,公司估值方法有所调整,不再考虑市净率。
其他信息
- 分析师:王大卫, PhD, CFA / 童钰枫
- 联系方式:Dawei.wang@bocomgroup.com / Carrie.Tong@bocomgroup.com
- 免责声明:本报告内容仅供参考,不构成投资建议,且不承担因依赖本报告内容而导致的任何损失。
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