> **来源：[研报客](https://pc.yanbaoke.cn)** # 玻璃基板行业深度：封装破局，玻璃为基 ## 核心内容 玻璃基板作为新一代封装材料，正因先进封装需求的激增而加速产业化进程。其性能优势显著，包括热膨胀系数接近硅芯片、优异的电气绝缘性能、高机械强度与平整度等，可有效解决传统有机基板在大尺寸封装中的翘曲问题，并提升高频信号传输效率。玻璃基板在先进封装、CPO（光电共封装）及6G射频等应用领域具有广阔前景。 ## 主要观点 1. **先进封装需求激增，推动材料迭代** - 后摩尔时代下，芯片制程提升空间有限，先进封装成为提升性能、功耗与密度的关键手段。 - 全球先进封装市场规模持续扩大，2024年达460亿美元，预计2030年将突破794亿美元，CAGR达9.5%。 - AI与数据中心需求带动2.5D/3D封装快速增长，预计2030年市场规模将接近350亿美元。 2. **玻璃基板性能优势显著** - 玻璃基板CTE（热膨胀系数）接近硅，可有效减少封装翘曲问题。 - 低介电损耗、高尺寸稳定性、优异的高频电学性能，使其成为高频传输、CPO及6G射频组件的优选材料。 - 玻璃基板在TGV（玻璃通孔）技术中实现高深径比与无损加工，有助于提升封装效率与信号完整性。 3. **头部企业加快布局，推动产业化进程** - **英特尔**：投入超10亿美元建设玻璃基板产线，2026年将展示首款搭载玻璃基板的Xeon 6+处理器，计划2026-2030年实现大规模商用。 - **台积电**：推进CoPoS封装技术，计划几年内实现量产，将玻璃基板用于替代部分硅中介层。 - **苹果**：启动Baltra AI服务器芯片的玻璃基板测试，由三星电机提供T-glass基板，目标2027年后量产。 - **三星电机**：已进入玻璃基板量产阶段，通过技术合作与工艺优化推动TGV技术发展。 4. **玻璃基板产业链关键环节** - **原片制造**：需精准控制CTE、Dk等参数，主要使用无碱硼硅玻璃，目前全球市场由康宁、旭硝子等外资主导，国内厂商如凯盛科技、旗滨集团等具备自研潜力。 - **TGV成孔**：主流技术为LIDE（激光诱导刻蚀），具有高深径比、无损加工等优势，但量产仍面临技术挑战。 - **通孔填充**：涉及金属化、电镀与布线（RDL），需解决无空洞、无缝隙填充问题，目前以化学镀为主。 - **电镀液与蚀刻液**：国内企业如天承科技、江化微等已实现部分国产替代。 - **键合胶**：德邦科技等企业正布局相关材料，提升封装可靠性。 ## 关键信息 - **市场前景**：2024年全球先进封装市场规模达460亿美元，预计2030年突破794亿美元，CAGR达9.5%。 - **技术优势**：玻璃基板CTE更接近硅，介电损耗低，适合高频与大尺寸封装需求。 - **应用领域**：先进封装（如CoPoS）、CPO、6G射频组件等。 - **国产替代**：玻璃原片、电镀液、蚀刻液等环节存在较大国产替代空间。 - **技术挑战**：TGV成孔与填充工艺仍需突破，如深径比不足、孔壁粗糙、金属填充致密性等。 ## 风险提示 1. 玻璃基板产业进展不及预期。 2. 先进封装市场需求不及预期。 3. 技术方案路线存在不确定性。 4. 国产替代不及预期。 ## 核心材料标的梳理 | 环节 | 标的 | |------|------| | 玻璃原片及加工 | 凯盛科技、旗滨集团、戈碧迦、沃格光电 | | 电镀液 | 天承科技 | | 蚀刻环节 | 江化微 | | 键合胶 | 德邦科技 | ## 图表目录 - 图表1：TSMC芯片制程迭代历程 - 图表2：先进封装市场持续扩容 - 图表3：2D、2.5D、3D封装示意图 - 图表4：台积电不同先进封装工艺示意图 - 图表5：头部企业包揽CoWoS&HBM产能 - 图表6：全球算力快速增长 - 图表7：预计2030年IC载板市场空间有望达310亿美元 - 图表8：IC载板分类 - 图表9：三种芯片封装基板材料的性能参数 - 图表10：不同温度下芯片翘曲 - 图表11：不同温度下芯片层应力分布 - 图表12：玻璃基板替代中介层及载板示意图 - 图表13：玻璃基板替代硅中介层的示意图 - 图表14：CoWoS与CoPoS截面对比 - 图表15：基于玻璃基板的CPO方案图 - 图表16：英特尔关于封装基板发展的历史总结 - 图表17：芯片用玻璃基板性能要求 - 图表18：主流TGV技术路线对比 - 图表19：激光诱导蚀刻过程示意图 - 图表20：TGV通孔填充工艺流程图 - 图表21：显示材料行业全产业链布局 - 图表22：球形二氧化硅应用产业链 - 图表23：全球MLCC配方粉市场竞争格局（2023）