3DDRAM:开启端侧AI蓝海:DRAM_架构由_2D_转向_3D,代表下一代端侧_AI_技术趋势_10页_1mb
报告摘要
3D DRAM: 开启端侧 AI 蓝海总结
核心内容
3D DRAM 是当前端侧 AI 技术发展的重要方向,随着 DRAM 制程微缩放缓,从 2D 转向 3D 架构成为必然趋势。3D DRAM 通过将多颗 2D DRAM 存储单元堆叠,显著提升内存带宽与能效,为 AI 推理速度的提升提供关键支持。NPU 作为协处理器的运用与 3D DRAM 技术的结合,被认为是下一代端侧 AI 技术的重要趋势。报告重点推荐兆易创新及其相关子公司,认为其在 3D DRAM+NPU 方案上具有明显优势。
主要观点
- DRAM 技术发展趋势:随着 DRAM 制程进入 10nm 级别,面临工艺完整性、成本、电容器漏电、传感裕度等挑战。3D 架构被认为是解决这些问题的关键。
- 3D DRAM 技术路径:主要技术方案包括 HBM、CUBE、WoW(Wafer on Wafer)等,其中混合键合(Hybrid Bonding)因其高连接密度、低电阻、低功耗等优势,成为未来主流方案。
- AI 推理瓶颈:当前 AI 端侧推理速度主要受限于内存带宽,而非算力。3D DRAM+NPU 的堆叠方案可显著提升内存带宽,从而突破这一瓶颈。
- NPU 技术趋势:NPU 作为专为 AI 推理优化的协处理器,其低功耗、高能效的特性使其成为端侧 AI 发展的重要支撑。高通等厂商已开始部署 NPU 技术以应对 AI 大模型的需求。
- 端侧 AI 模型发展:AI 应用正向多样化发展,MOE 模型为端侧 AI 提供了高效、小尺寸的解决方案,如 Qwen3-4B 模型在数学与代码能力上表现出色,且性能可匹敌大模型。
关键信息
3D DRAM 技术特性
- HBM:采用 $\mu$-Bump 和硅通孔(TSV)技术,实现高性能内存传输,但受限于堆叠高度与 IO 密度。
- CUBE/WoW:将 SoC 置于存储单元上方,提升散热性能与集成度,采用 Microbumps 热压键合技术。
- 混合键合:通过金属(如铜)与氧化物直接键合,实现更小间距、更低电阻、更高效信号路由,提升连接密度与传输速度。
- SeDRAM 平台:紫光国芯的 SeDRAM 技术实现接触孔密度达 110,000 个/mm²,带宽高达 34GB/s,能效为 0.88pJ/bit。
AI 推理速度瓶颈分析
- 公式:推理速度(tokens/s)= $\min(5y/x \times 10^3, 5z/x)$,其中 y 为算力(TOPs),z 为内存带宽(GB/s)。
- 高通骁龙8GEN3 实例:NPU 算力 45TOPs,内存带宽 67GB/s,运行 7B 模型时,内存带宽限制远低于算力限制,表明当前瓶颈在内存。
- 3D DRAM+NPU 带宽提升:假设内存带宽提升至 800GB/s,推理速度可提升至 57tokens/s,显著优于当前水平。
端侧 AI 模型与硬件协同
- Qwen3 模型:提供 8 款不同尺寸的模型版本,包括 30B 和 235B 的 MOE 模型,Qwen3-4B 模型在小尺寸下表现优异,能效与性能兼顾。
- 端侧 AI 发展路径:当前产业为硬件领先于模型,未来模型爆发将带来硬件红利,建议提前布局。
投资建议
- 行业评级:给予半导体行业“增持”评级,认为 3D DRAM+NPU 技术趋势明确。
- 推荐公司:兆易创新(603986.SH)是当前布局 3D DRAM+NPU 方案的领先企业,其投资子公司青耘科技、光羽芯成亦参与其中。
- 估值预测:根据 2025 年 5 月 18 日数据,兆易创新收盘价为 122.29 元,预计 2025 年 EPS 为 2.35 元,PE 为 54.76 倍,2026 年 EPS 为 2.92 元,PE 为 44.07 倍,2027 年 EPS 为 3.69 元,PE 为 34.88 倍。
风险提示
- AI 终端渗透不及预期:若 AI 终端市场增长低于预期,将影响 3D DRAM+NPU 技术方案的市场推广。
- 3D DRAM 技术发展滞后:若 3D DRAM 方案商在技术验证与迭代上进展缓慢,可能导致方案落地延迟。
评级说明
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股票投资评级:
- 增持:相对沪深300指数涨幅 15% 以上
- 谨慎增持:相对沪深300指数涨幅介于 5%~15% 之间
- 中性:相对沪深300指数涨幅介于 -5%~5%
- 减持:相对沪深300指数下跌 5% 以上
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行业投资评级:
- 增持:明显强于沪深300指数
- 中性:基本与沪深300指数持平
- 减持:明显弱于沪深300指数
结论
3D DRAM 技术正成为解决端侧 AI 内存带宽瓶颈的关键,结合 NPU 协处理器,将显著提升 AI 推理效率与性能。兆易创新等企业已在该领域布局,技术趋势明确,具备投资价值。建议关注 3D DRAM+NPU 技术的进一步发展与市场应用。
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