> **来源：[研报客](https://pc.yanbaoke.cn)** ```markdown # 华泰 | 科技：MLCC会成为下一个存储吗？ ## 核心内容总结 本文探讨了MLCC（多层陶瓷电容器）是否可能成为下一个像存储芯片一样的高增长行业。结合英伟达Rubin架构发布后的市场变化，以及中日韩主要被动元器件厂商的动态，分析了MLCC行业当前面临的机遇与挑战。 ## 主要观点 1. **Rubin架构推动MLCC价值量提升** - 英伟达Rubin架构的推出显著提升了单机柜MLCC的价值量，从H100的3k美元、GB200的12k美元，提升至VR200的22k美元，预计2027年Rubin Ultra放量时可达40k美元。 - 需求侧向高压、超高容及垂直供电倾斜，带动MLCC用量从15k颗增至90k+颗。 2. **高端MLCC涨价逻辑与HBM周期相似** - 当前涨价并非传统补库，而是由高端MLCC的扩产所导致，类似于HBM对DRAM的挤占。 - 4月，村田对AI服务器高容MLCC提价15-35%，太阳诱电对中低容消费级及车用MLCC提价6-13%，SEMCO亦拟提价5-10%。 - TDK社长将AI数据中心列为投资重点，预计其AI相关业务将实现25-30%的CAGR。 3. **行业格局类似HBM双寡头，但资本壁垒较低** - AI服务器用高容MLCC目前由村田和SEMCO主导，合计份额约90%，集中度与HBM市场相近。 - MLCC新建产线成本较低（不足10亿美元），远低于存储行业（如DRAM先进Fab需150-200亿美元）。 - 12-18个月的验证周期构成短期壁垒，但中长期来看，中国台湾及内资厂商响应更快，存在产能扩张的潜在风险。 4. **估值切换，关注ASP趋势与盈利兑现** - 当前MLCC板块26E PE中位数为43.3x，高于存储行业的8.7x。 - 市场已给予AI相关资产较充分的溢价，后续增长动力将从“估值修复”转向“盈利兑现”。 - 建议关注MLCC ASP的实际变化趋势，以及涨价对盈利的推动作用。 ## 关键信息 - **需求端变化**：AI数据中心带动MLCC需求增长，推动高端产品价值量大幅上升。 - **产能与价格**：高端MLCC扩产挤压低端通用品产能，引发类似HBM的涨价周期。 - **行业格局**：AI服务器用高容MLCC市场呈现双寡头格局，但资本壁垒低于存储行业。 - **风险因素**：包括AI发展不及预期、宏观经济波动、地缘政治风险及半导体周期下行等。 - **技术瓶颈**：上游高端材料（如纳米级钛酸钡介质粉体）是MLCC产能释放的关键限制，国内厂商正加速突破。 ## 行业动态与数据 - **图表2**：展示了数据中心使用的被动元器件分类及其对应产品，包括AC高压、DC低压、安全部件等。 - **图表3**：显示了日本MLCC出口ASP的时序变化，2026年AI服务器高容产品挤压产能，推动ASP上涨15%-25%。 - **当前ASP**：约1.09 USD/g，市场对高端产品的溢价趋势明显。 ## 结论 MLCC行业正经历由AI驱动的结构性变化，其价值量和需求量显著提升，高端产品出现涨价趋势。行业格局虽呈现双寡头态势，但其资本壁垒较低，存在产能快速扩张的风险。建议投资者关注MLCC ASP的演变趋势及盈利兑现能力，同时警惕潜在的市场风险。 ```